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MOSFET是一種三端器件，在基本方面表現(xiàn)為壓控開關(guān)——參見圖1。該器件僅在向柵極施加適當(dāng)電壓時(shí)才允許源極和漏極端子之間的導(dǎo)電。
術(shù)語MOSFET是一個(gè)縮寫，代表金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。MOS描述了器件的原始結(jié)構(gòu)，它基本上由三層組成：
形成驅(qū)動(dòng)電極或柵極的金屬層（在現(xiàn)代設(shè)計(jì)中用多晶硅代替）
氧化物隔離層，其防止驅(qū)動(dòng)電極和設(shè)備的其他兩個(gè)電極之間的電流流動(dòng)，但不阻擋電場，以及
半導(dǎo)體層，其取決于柵極處的電壓（并由此引起的電場），阻擋或允許電流在源極和漏極接觸之間流動(dòng)。
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