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為了盡可能地充分利用芯片的理論電流承載能力，芯片所產(chǎn)生的功率損耗需要通過連接部分和絕緣層直接并安全地被引導(dǎo)至散熱表面。
圖1.47從原理上顯示了模塊中哪些內(nèi)部參數(shù)會影響其散熱能力（內(nèi)部熱阻R、內(nèi)部熱抗Z），這些參數(shù)與散熱能力以及環(huán)境條件一起共同決定了模塊所允許的最高損耗（電流、開關(guān)頻率、電壓等）。
圖1.47中所示的RC元件并沒有真實地反映熱傳導(dǎo)的物理過程，它們只是被用來形象地表明從芯片到散熱器之間功率和溫度是由上而下流動的。但由于熱阻R山是一個靜態(tài)的參數(shù)，所以它可以被用來反映相應(yīng)的結(jié)構(gòu)單元。
然而，電容替代了真實的物理單元，它可以由實際體積元件的熱容量（參數(shù)為體積和單位熱容）通過變換而得到，其條件是存在一個共同的熱參考點。
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