資料介紹
晶體管的基區(qū)中有兩類載流子在流動,一類是從發(fā)射區(qū)
注入到基區(qū)的少數(shù)載流子(對n-p-n晶體管來說是電子),另
一類是多數(shù)載流子,它主要起這樣的作用:提供注入到
基區(qū)的少子的復(fù)合所需的多子,提供向發(fā)射區(qū)注入少子
所需的多子。近似地說,基區(qū)中少子的運動是垂直于結(jié)
面的擴(kuò)散運動(如果有自建電場,還應(yīng)加上漂移運動),而
多子流的運動方向則與少子擴(kuò)散流的方向垂直,是平行
于結(jié)面的漂移運動,由于基區(qū)很薄,基區(qū)存在一定的電
阻,在多子流過基區(qū)時會產(chǎn)生壓降,它對晶體管的特性
有影響,如發(fā)射極電流集邊效應(yīng),放大、頻率特性變差
和基極電阻引起的噪聲等。
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