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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電磁兼容設(shè)計(jì)>LDMOS器件在ESD保護(hù)中的應(yīng)用

      LDMOS器件在ESD保護(hù)中的應(yīng)用

      2009-12-14 | rar | 555 | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      本文針對(duì)LDMOS 器件在ESD 保護(hù)應(yīng)用中的原理進(jìn)行了分析，重點(diǎn)討論了設(shè)計(jì)以及應(yīng)用過程中如何降低高觸發(fā)電壓和有效提高二次擊穿電流，結(jié)合實(shí)際工藝對(duì)器件進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化，得到了承受4KV ESD 電壓的LDMOS器件。

      ESD（Electrostatic Discharge）現(xiàn)象對(duì)集成電路的可靠性造成了巨大威脅，利用片內(nèi)半導(dǎo)體器件形成保護(hù)電路是提高ESD 保護(hù)的重要手段[1]。一般的消費(fèi)電子產(chǎn)品要求在人體放電模式（ HBM ，Human-Body Mode）模式下承受的ESD 電壓大于2KV。智能功率集成電路通常需要高低壓器件兼容集成來(lái)實(shí)現(xiàn)，橫向雙擴(kuò)散絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（LDMOS，Lateral Double Diffused MOS Transistor）具有較高耐壓，且與雙極、CMOS 低壓工藝兼容，易于集成而被廣泛應(yīng)用于智能功率IC 中。同時(shí)，LDMOS 被廣泛選用對(duì)高壓通道進(jìn)行ESD 保護(hù)。本文利用雙金屬層、0.6μm 雙極-互補(bǔ)MOS-雙擴(kuò)散MOS（BCD）工藝下的LDMOS 來(lái)實(shí)現(xiàn)一塊智能功率IC 輸出端口的靜電保護(hù)，并成功通過測(cè)試，有效提高了芯片的可靠性。

      LDMOS
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