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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子元器件應用>圖說核心元件,三極管資料下載

圖說核心元件,三極管資料下載

2021-04-12 | pdf | 871.68KB | 次下載 | 3積分

資料介紹

"晶體三極管,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件" 在電子元件家族中,三極管屬于半導體主動元件中的分立元件。 廣義上,三極管有多種,常見如下圖所示。 狹義上,三極管指雙極型三極管,是最基礎最通用的三極管。 本文所述的是狹義三極管,它有很多別稱: 三極管的發(fā)明 晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關功能控制電流。 真空電子管存在笨重、耗能、反應慢等缺點。 二戰(zhàn)時,軍事上急切需要一種穩(wěn)定可靠、快速靈敏的電信號放大元件,研究成果在二戰(zhàn)結束后獲得。 早期,由于鍺晶體較易獲得,主要研制應用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后,由于硅管生產(chǎn)工藝很高效,鍺管逐漸被淘汰。 經(jīng)半個世紀的發(fā)展,三極管種類繁多,形貌各異。? 小功率三極管一般為塑料包封; 大功率三極管一般為金屬鐵殼包封。 三極管核心結構 核心是“PN”結,是兩個背對背的PN結,可以是NPN組合,也或以是PNP組合。 由于硅NPN型是當下三極管的主流,以下內(nèi)容主要以硅NPN型三極管為例! NPN型三極管結構示意圖 硅NPN型三極管的制造流程 管芯結構切面圖 工藝結構特點: 發(fā)射區(qū)高摻雜:為了便于發(fā)射結發(fā)射電子,發(fā)射區(qū)半導體摻濃度高于基區(qū)的摻雜濃度,且發(fā)射結的面積較小; 基區(qū)尺度很薄:3~30μm,摻雜濃度低; 集電結面積大:集電區(qū)與發(fā)射區(qū)為同一性質(zhì)的摻雜半導體,但集電區(qū)的摻雜濃度要低,面積要大,便于收集電子。 三極管不是兩個PN結的間單拼湊,兩個二極管是組成不了一個三極管的! 工藝結構在半導體產(chǎn)業(yè)相當重要,PN結不同材料成份、尺寸、排布、摻雜濃度和幾何結構,能制成各樣各樣的元件,包括IC。 三極管電路符號 三極管電流控制原理示意圖 三極管基本電路 外加電壓使發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置。 集/基/射電流關系: IE = IB IC IC = β * IB 如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0
電阻 元器件 電容 電感
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