電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率，工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率，這助推了滿足這些需求的電子設(shè)備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作，新設(shè)計(jì)通常也會(huì)有進(jìn)一步增加帶寬的要求。在許多這樣的系統(tǒng)中，人們傾向于使用一個(gè)涵蓋所有頻帶的信號(hào)鏈。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使高功率寬帶放大器功能突飛猛進(jìn)。GaN革命席卷了整個(gè)行業(yè)，并且可以讓 MMIC在幾十種帶寬下生成1 W以上的功率，因此，這個(gè)過(guò)去由行波管主導(dǎo)的領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始讓步于半導(dǎo)體設(shè)備。更短?hào)艠O長(zhǎng)度的GaAs和GaN晶體管的出現(xiàn)以及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的升級(jí)，衍生了一些可以輕松操作毫米波頻率的新設(shè)備，開(kāi)啟了幾十年前難以想象的新應(yīng)用。本文將簡(jiǎn)要描述支持這些發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)的狀態(tài)、實(shí)現(xiàn)最佳性能的電路設(shè)計(jì)考慮因素，還列舉了展現(xiàn)當(dāng)今技術(shù)的GaAs和GaN寬帶功率放大器（PA）。許多無(wú)線電子系統(tǒng)都可覆蓋很寬的頻率范圍。在軍事工業(yè)中，雷達(dá)頻段可覆蓋從幾百M(fèi)Hz到GHz級(jí)頻率。一些電子戰(zhàn)和電子對(duì)抗系統(tǒng)需要在極寬的帶寬下工作。各種不同頻率，如MHz至20 GHz，甚至包括更高的頻率，現(xiàn)在都面臨著挑戰(zhàn)。隨著越來(lái)越多電子設(shè)備支持更高頻率，對(duì)更高頻率電子戰(zhàn)系統(tǒng)的需求將會(huì)出現(xiàn)井噴。在電信行業(yè)，基站的工作頻率為450 MHz至3.5 GHz左右，并且隨著更高帶寬的需求增長(zhǎng)而持續(xù)增加。衛(wèi)星通信系統(tǒng)的工作頻率主要為C-波段至Ka-波段。用于測(cè)量這些不同電子設(shè)備的儀器儀表需要能在所有這些必要的頻率下工作，才能得到國(guó)際認(rèn)可。因此，系統(tǒng)工程師需要努力嘗試設(shè)計(jì)一些能夠覆蓋整個(gè)頻率范圍的電子設(shè)備。想到可以使用單個(gè)信號(hào)鏈覆蓋整個(gè)頻率范圍，大多數(shù)系統(tǒng)工程師和采購(gòu)人員都會(huì)非常興奮。用單個(gè)信號(hào)鏈覆蓋整個(gè)頻率范圍將會(huì)帶來(lái)許多優(yōu)勢(shì)，其中包括簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、加速上市時(shí)間、減少要管理的器件庫(kù)存等。單信號(hào)鏈方案的挑戰(zhàn)始終繞不開(kāi)寬帶解決方案相對(duì)窄帶解決方案的性能衰減。挑戰(zhàn)的核心在于功率放大器，對(duì)于窄帶寬其具有一流的功率和效率性能。

　　半導(dǎo)體技術(shù)

　　過(guò)去幾年，行波管（TWT）放大器一直將更高功率電子設(shè)備作為許多這類系統(tǒng)中的輸出功率放大器級(jí)。TWT擁有一些不錯(cuò)的特性，包括千瓦級(jí)功率、倍頻程帶寬或者甚至多倍頻程帶寬操作、高效回退操作以及良好的溫度穩(wěn)定性。TWT也有一些缺陷，其中包括較差的長(zhǎng)期可靠性、較低效率，并且需要非常高的電壓（大約1 kV或以上）才能工作。關(guān)于半導(dǎo)體IC的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，這些年電子設(shè)備一直向前發(fā)展，首當(dāng)其沖的就是GaAs。在可能的情況下，許多系統(tǒng)工程師一直努力組合多個(gè)GaAs IC，生成大輸出功率。整個(gè)公司都完全建立在技術(shù)組合和有效實(shí)施的基礎(chǔ)之上。進(jìn)而孕育了許多不同類型的組合技術(shù)，如空間組合、企業(yè)組合等。這些組合技術(shù)全都面臨著相同的命運(yùn)——組合造成了損耗，幸運(yùn)的是，并不一定要使用這些組合技術(shù)。這激勵(lì)我們使用高功率電子設(shè)備開(kāi)始設(shè)計(jì)。提高功率放大器RF功率的最簡(jiǎn)單的方式就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術(shù)極具吸引力。如果我們對(duì)比不同半導(dǎo)體工藝技術(shù)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)功率通常會(huì)如何隨著高工作電壓IC技術(shù)而提高。硅鍺（SiGe）技術(shù)采用相對(duì)較低的工作電壓（2 V至3 V），但其集成優(yōu)勢(shì)非常有吸引力。GaAs擁有微波頻率和5 V至7 V的工作電壓，多年來(lái)一直廣泛應(yīng)用于功率放大器。硅基LDMOS技術(shù)的工作電壓為28 V，已經(jīng)在電信領(lǐng)域使用了許多年，但其主要在4 GHz以下頻率發(fā)揮作用，因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不廣泛。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28 V至50 V，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板（如碳化硅，SiC），開(kāi)啟了一系列全新的可能應(yīng)用。如今，硅基GaN技術(shù)局限于6 GHz以下工作頻率。硅基板相關(guān)的RF損耗及其相對(duì)SiC的較低熱傳導(dǎo)性能則抵消了增益、效率和隨頻率增加的功率優(yōu)勢(shì)。圖1對(duì)比了不同半導(dǎo)體技術(shù)并顯示了其相互比較情況。

　　GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。當(dāng)然，相比基于GaAs的設(shè)計(jì)，基于GaN的設(shè)計(jì)能夠提供更高的輸出功率，并且其設(shè)計(jì)考慮因素在很大程度上是相同的。

　　設(shè)計(jì)考慮因素

　　選擇如何開(kāi)始設(shè)計(jì)以優(yōu)化功率、效率及帶寬時(shí)，IC設(shè)計(jì)師可以使用不同拓?fù)浼霸O(shè)計(jì)考慮因素。最常見(jiàn)的單塊放大器設(shè)計(jì)類型就是一種多級(jí)、共源、基于晶體管的設(shè)計(jì)，也稱作級(jí)聯(lián)放大器設(shè)計(jì)。這里，增益放大器會(huì)從每一級(jí)增加，從而實(shí)現(xiàn)高增益，并允許我們?cè)黾虞敵鼍w管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槲覀兡軌虼蠓?jiǎn)化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸，如圖2所示。因此，我們能夠?qū)崿F(xiàn)更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉(zhuǎn)向GaN設(shè)備的一個(gè)不太明顯的優(yōu)勢(shì)就是，能夠?qū)崿F(xiàn)給定RF功率水平，可能是4 W。晶體管尺寸將會(huì)更小，從而實(shí)現(xiàn)更高的每級(jí)增益。這將帶來(lái)更少的設(shè)計(jì)級(jí)，最終實(shí)現(xiàn)更高效率。這些級(jí)聯(lián)放大器技術(shù)的挑戰(zhàn)在于，在不顯著降低功率和效率，甚至在不借助GaN技術(shù)的情況下，很難實(shí)現(xiàn)倍頻程帶寬。