資料介紹
在雷達(dá)、電子對(duì)抗和通信等領(lǐng)域中,電子系統(tǒng)逐步朝著高密度、高速率、高可靠性、高性能和低成本等方向發(fā)展。多芯片電路作為混合電路集成技術(shù)的代表,可以在三維、多層介質(zhì)基板中,采用微組裝互連工藝將裸芯片及各種元器件設(shè)計(jì)成滿足需求的。在微波多芯片電路技術(shù)中,常采用金絲鍵合技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)微帶傳輸線、單片微波集成電路和集總式元器件之間的互連。與數(shù)字電路中互連線不同的是,鍵合金絲的參數(shù)特性如數(shù)量、長(zhǎng)度、拱高、跨距、焊點(diǎn)位置等都會(huì)微波傳輸特性產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。尤其是在毫米波等高頻段,鍵合金絲的寄生電感效應(yīng)尤為明顯。因此,分析金絲鍵合的電磁特性、并有效地設(shè)計(jì)金絲互連電路,對(duì)實(shí)現(xiàn)和提高多芯片電路的性能具有十分重要的意義。

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