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鍺化硅技術（Silicon germanium）從20世紀80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料，應用領域非常廣泛，尤其在新一代移動設備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于SiGe技術具有高頻特性，現(xiàn)已廣泛應用在電子測試產品中，如泰克（Tektronix）公司的TDS7000系列高頻示波器，帶寬高達15GHz，那么什么是SiGe技術呢？ SiGe技術具有很多極具吸引力的優(yōu)點。作為硅材料中的“小兄弟，SiGe既擁有硅工藝的集成度和成本優(yōu)勢，又具有第3類到第5類半導體（GaAs）和磷化銦（lnP）速度方面的優(yōu)點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用 SiGe半導體技術集成高質量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設計器件隨溫度進行變化。
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