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- CRD-5FF0912P，評(píng)估板將演示采用7L D2PAK封裝的第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的高開(kāi)關(guān)性能。新型表面貼裝器件（SMD）專(zhuān)為高壓MOSFET設(shè)計(jì)，占地面積小，漏極和源極之間的爬電距離為7mm。新封裝還包括獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器源連接，可減少柵極振鈴并提供干凈的柵極信號(hào)。該板可輕松配置為常見(jiàn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)?，例如同步升壓，同步降壓?a href='http://www.makelele.cn/tags/逆變器/' target='_blank' class='arckwlink_none'>逆變器和其他拓?fù)?
主要特色
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轉(zhuǎn)換類(lèi)型DC到DC
-
拓?fù)?/div>半橋
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