資料介紹
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)構成的化合物半導體材料。SiC 的優(yōu)點不僅在于其絕緣擊穿場強(Breakdown Field)是 Si 的 10 倍,帶隙(Energy Gap)是 Si 的 3 倍,而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制,所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC,現(xiàn)在 4inch~6inch 的單晶晶圓已經實現(xiàn)了量產。
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