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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

2022-11-01 | pdf | 184.4KB | 次下載 | 2積分

資料介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級盡可能提高(和降低)。 氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性,同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗(yàn)來看,您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡,但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì),同時(shí)通過在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。 通過導(dǎo)通電阻選擇器件 內(nèi)部氮化鎵場效應(yīng)晶體管(FET)的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?
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