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另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開(kāi)關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開(kāi)關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說(shuō)的這些聽(tīng)起來(lái)有點(diǎn)兒前言不搭后語(yǔ)，不過(guò)設(shè)計(jì)人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同的FET時(shí)要小心，這是因?yàn)闇y(cè)試條件決定一切，事情往往是如此！
圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di/dt速率上測(cè)得的輸出電荷和反向恢復(fù)電荷，這代表了一個(gè)事物的兩個(gè)方面。在左側(cè)，Qrr在360A/μs時(shí)測(cè)得的值為85nC，在右邊，2000A/μs時(shí)測(cè)得的值為146nC。雖然沒(méi)有測(cè)量部件的di/dt行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)…
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