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用于最小 EMI 的降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計

2388648 2022-11-28 | pdf | 89.43KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

對于降壓轉(zhuǎn)換器，電感器/二極管/FET 網(wǎng)絡(luò)是高 dv/dt 網(wǎng)絡(luò)。最小化該網(wǎng)絡(luò)的面積以減少其與外界的耦合。對于降壓轉(zhuǎn)換器，電感器/二極管/FET 網(wǎng)絡(luò)是高 dv/dt 網(wǎng)絡(luò)。最小化該網(wǎng)絡(luò)的面積以減少其與外界的耦合。標(biāo)記為 di/dt 的環(huán)路并不是該電路中唯一的電流環(huán)路（圖 1），但它通常是最有問題的。該環(huán)路的電流變化非?？?，尤其是帶有二極管的支路。當(dāng) Q1 關(guān)閉時，這部分環(huán)路很快從零變?yōu)槿娏鳌?/font>在周期開始時，Q1 導(dǎo)通以驅(qū)動電流通過 L1，從而將能量存儲在其磁場中。電流流過 Q1、L1 和電容。D1 不涉及。當(dāng) Q1 關(guān)閉時，如果有任何可能的方式繼續(xù)前進(jìn)，L1 將不允許電流停止。D1 提供了這樣一種方式（路徑）來保持電流流動。例如，如果 Q1 開啟，通過 L1 和 Q1 的電流上升到 1 A，然后 Q1 在 50 ns 內(nèi)關(guān)閉，則通過 D1 的電流在 50 ns 內(nèi)從零變?yōu)?1 A。那' 非常快的 di/dt！仔細(xì)布線此網(wǎng)。?標(biāo)記為 di/dt 的環(huán)路并不是該電路中唯一的電流環(huán)路（圖 1），但它通常是最有問題的。該環(huán)路的電流變化非?？?，尤其是帶有二極管的支路。當(dāng) Q1 關(guān)閉時，這部分環(huán)路很快從零變?yōu)槿娏鳌?/font>在周期開始時，Q1 導(dǎo)通以驅(qū)動電流通過 L1，從而將能量存儲在其磁場中。電流流過 Q1、L1 和電容。D1 不涉及。當(dāng) Q1 關(guān)閉時，如果有任何可能的方式繼續(xù)前進(jìn)，L1 將不允許電流停止。D1 提供了這樣一種方式（路徑）來保持電流流動。例如，如果 Q1 開啟，通過 L1 和 Q1 的電流上升到 1 A，然后 Q1 在 50 ns 內(nèi)關(guān)閉，則通過 D1 的電流在 50 ns 內(nèi)從零變?yōu)?1 A。那' 非常快的 di/dt！仔細(xì)布線此網(wǎng)。?一些控制器將 D1（也可能是 Q1）放在 IC 內(nèi)部，例如Analog Devices 的一些控制器將 D1（也可能是 Q1）放在 IC 內(nèi)部，例如Analog Devices 的ADP2442ADP2442 ?。 ?。從 EMC 的角度來看，這通常是一件好事。與使用分立二極管和 FET 相比，它允許保持環(huán)路面積小得多。說到分立元件，一些設(shè)計使用另一個 FET 代替 D1 來提高效率。這些是“同步”降壓轉(zhuǎn)換器，因為它們必須同步兩個 FET 的開關(guān)以最大限度地提高效率并防止通過同時打開兩個 FET 將 Vin 短路到地。但是，電流環(huán)路和拓?fù)涫窍嗤摹?/font>從 EMC 的角度來看，這通常是一件好事。與使用分立二極管和 FET 相比，它允許保持環(huán)路面積小得多。說到分立元件，一些設(shè)計使用另一個 FET 代替 D1 來提高效率。這些是“同步”降壓轉(zhuǎn)換器，因為它們必須同步兩個 FET 的開關(guān)以最大限度地提高效率并防止通過同時打開兩個 FET 將 Vin 短路到地。但是，電流環(huán)路和拓?fù)涫窍嗤摹?/font>有關(guān)有關(guān)