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ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。 ID7S625芯片特征■ 芯片工作電壓范圍10V~20V■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V■ 輸出電流能力2.5A■ 高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓600V■ 自舉工作的浮地通道■ 所有通道均有延時(shí)匹配功能
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