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晶閘管是具有四個（或更多）交替的N-P-N-P層的雙極導電半導體器件的廣泛分類。 晶閘管包括：可控硅整流器（SCR），可 控硅，可控硅開關，柵極截止開關（GTO），可控硅開關（SCS），交流二極管（DIAC），單結晶體管（UJT），可編程單結 晶體管（PUT）。 本節(jié)僅檢查SCR。 盡管提到了GTO。 肖克利于1950年提出了四層二極管晶閘管。直到幾年后，通用電氣公司才意識到這一點。 SCR現(xiàn)在可用于處理從瓦到兆瓦的 功率水平。 最小的器件像小信號晶體管一樣封裝，可在接近100 VAC的情況下切換100毫安的電流。 最大的封裝設備直徑為 172 mm，在10,000 VAC時切換5600 Amps。 功率最高的SCR可能由直徑為幾英寸（100毫米）的整個半導體晶圓組成。
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