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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>HSW-PN602H選型參數(shù)介紹

HSW-PN602H選型參數(shù)介紹

2024-08-27 | pdf | 835.91 KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

PN602H集成超低待機(jī)功耗原邊控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、

適配器和內(nèi)置電源。PN602H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗

(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸

出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過(guò)CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供

了極為全面的智能保護(hù)功能,包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開(kāi)/短路保護(hù)等。    

 

應(yīng)用領(lǐng)域

?

開(kāi)關(guān)電源適配器

?

電池充電器

?

家電內(nèi)置電源

產(chǎn)品特征

?

內(nèi)置800V高雪崩能力智能功率MOSFET

?

內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,小于50mW空載損耗(230VAC)

?

采用多模式技術(shù)提高效率,滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)

?

全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度

?

原邊反饋可省光耦和TL431

?

恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)

?

無(wú)需額外補(bǔ)償電容

?

無(wú)音頻噪聲

?

智能保護(hù)功能

?

過(guò)溫保護(hù) (OTP)

?

VDD欠壓&過(guò)壓保護(hù) (UVLO&OVP)

?

逐周期過(guò)流保護(hù) (OCP)

?

CS開(kāi)/短路保護(hù) (CS O/SP)

?

開(kāi)環(huán)保護(hù) (OLP)

輸出特性

封裝/訂購(gòu)信息

VDD

GND

SW

SW

DIP8

CS

FB

SW

SW

訂購(gòu)代碼

封裝

典型功率

85~265VAC

PN602HSE-A1

SOP8

12W

PN602HNE-A1

DIP8

15W

注:最大輸出功率是在環(huán)境溫度 45°C 的密閉式應(yīng)用情形

下測(cè)試。

 

控制器 電源管理 網(wǎng)絡(luò)通信
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