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柵極驅(qū)動電壓在開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器的功耗中起著重要作用，是設(shè)計(jì)電路的系統(tǒng)最佳性能、效率和速度時(shí)的主要考慮因素之一。較低的柵極驅(qū)動電壓對輕負(fù)載效率尤其有影響，由于系統(tǒng)在空閑操作中花費(fèi)的時(shí)間比例較高，因此輕負(fù)載效率最高。盡管寬帶隙半導(dǎo)體如碳化硅的興起，硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管仍然占據(jù)了這個行業(yè)的大部分。Tl提供各種成本優(yōu)化的柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動最高18V的MOSFETs。在討論驅(qū)動電壓的影響之前，必須了解損耗的來源及其發(fā)生的位置。本技術(shù)筆記重點(diǎn)討論非同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制MOSFET中存在的損耗，這些損耗可以大致分為三個主要來源:傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗和柵極電荷損耗。
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