一：如上圖紅框里面的電路是反激電源的鉗位電路，用的 RCD 鉗位，這一個(gè)電路在開(kāi)關(guān)電源中非常常見(jiàn)，可以說(shuō)現(xiàn)在市面上的反激大部分是用的這一電路設(shè)計(jì)這個(gè)電路的目的是吸收反激變壓器漏感的能量，限制 MOS 功率管的最大反向峰值電壓。但是設(shè)計(jì)的時(shí)候我們?cè)趺催x取是一個(gè)很大的問(wèn)題，RC 吸收損耗太重會(huì)影響整機(jī)的效率，如果 RC 損耗太輕的就會(huì)影響 MOS 管的電壓尖峰導(dǎo)致尖峰太高 MOS 管電壓應(yīng)力超。所以設(shè)計(jì)這個(gè)電路我們的綜合考慮

二：設(shè)計(jì) RCD 吸收電路之前，我們要清楚為什么需要設(shè)計(jì)這一電路，目的是什么對(duì)于反激變壓器我們都知道是有漏感存在的

首先需要知道什么是漏感

我們知道變壓器主要是由初級(jí)線圈，次級(jí)線圈與磁芯組合而成，它是利用電磁感應(yīng)的原理來(lái)改變交流電壓的一種元器件，理想的變壓器是沒(méi)有損耗的并且沒(méi)有漏磁通，但是實(shí)際中的電感是有損耗與漏磁通，初級(jí)線圈所產(chǎn)生的磁通不能都通過(guò)次級(jí)線圈，產(chǎn)生漏磁的電感就是漏感，也就是說(shuō)在漏感中的能量是不能傳遞到副邊的，這一部分能量只能在原邊，不能傳遞到副邊的這些能量我們需要處理，可以通過(guò)一些電路來(lái)吸收掉，或是返回到輸入母線上去，這就有人會(huì)設(shè)計(jì)所謂的無(wú)損吸收，但是在實(shí)際應(yīng)用中比較復(fù)雜并且 EMI 不好

所以大多數(shù)都是用 RCD 損耗掉了，那我們?cè)O(shè)計(jì) RCD 的目的就是把漏感能力吸收掉，但是不能把主回路的能量損耗掉，否則會(huì)影響整機(jī)的效率。要做到這點(diǎn)必須對(duì) RC 參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)

三：我們來(lái)分析下 RCD 吸收的整個(gè)過(guò)程

當(dāng) MOS 管開(kāi)通的時(shí)候電感電流上升到 Ip 時(shí) MOS 管關(guān)斷，漏感上的能力不能傳到副邊，這時(shí)候只能通過(guò) D6 給 C3 充電，把所以的能力都充到 C3 上，當(dāng)C3 比較小的時(shí)候，那么 C3 上的電壓 Vc 就上升的比較高，這時(shí)候?yàn)榱?MOS管的應(yīng)力，我們可能會(huì)加大 C3 的容量，具體可以通過(guò)測(cè)試實(shí)際的波形來(lái)判斷但是，我們不希望電容太大，如太大會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷的時(shí)候 C3 上的電壓 Vc 小于反射電壓 Vr，導(dǎo)致副邊反射過(guò)來(lái)的電壓 Vr 一直在給 RCD 充電，導(dǎo)致整機(jī)效率低電容的選擇我們需要?jiǎng)偤眠m合我們 MOS 管的 Vds 電壓我們的電阻的選擇也不能太小了或太大，如果太小了會(huì)導(dǎo)致 Q1 沒(méi)有開(kāi)通前C3 上的電壓已經(jīng)掉到了反射電壓 Vr 了，這時(shí)候反射電壓 Vr 又會(huì)對(duì) RCD 充電損耗輸出的能量

電阻值太大會(huì)導(dǎo)致我們?cè)陂_(kāi)機(jī)與短路的時(shí)候會(huì)出現(xiàn) MOS 管電壓應(yīng)力超我們?nèi)鐖D上的 C3 上的電壓波形 3 一樣，就是關(guān)斷的時(shí)候電壓上升到 Vr 以上當(dāng) MOS 管的開(kāi)通的時(shí)候 C3 電容上的電壓沒(méi)有下降到 Vr，并且當(dāng)下次開(kāi)通的時(shí)候 C3 上的電壓還沒(méi)有掉到 0V.這是我們的最佳選

四：鉗位電路上的電阻與電容的選擇

VDS 是 MOS 管的額定電壓，我了留有余量我們一般都是取 MOS 管的額度電 壓的 0.9 倍

Vc 是 RCD 上 C 的電壓

Vin-max 是輸入的最大電壓

Vc=0.9VDS-Vin-max

f 為開(kāi)關(guān)頻率

Ip 我原邊的峰值電流

漏感上的能量都被電容吸收，然后都損耗到電阻 R1 上

電阻上損失的功率 Pr=Vc^2/R1,實(shí)際的電阻需要取 2 倍的 Pr

漏感中轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)的能量 WR=Wlr1+Wlr*Vr/（Vc-Vr）

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