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低功率CMOS無(wú)線射頻芯片設(shè)計(jì)方案
無(wú)線通訊市場(chǎng)的趨勢(shì)一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-Range Devices )更在無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)(見圖一) 概念的推波助瀾下，帶動(dòng)了射頻芯片(RF IC)的需求量大增，射頻收發(fā)器 (TRX)要達(dá)到低功耗設(shè)計(jì)，低電壓工作是必要條件，然而，電路的效能與工作電壓有關(guān)，在兼顧到效能與低功耗之間，是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。近年來(lái)，RF IC 之制作技術(shù)日新月異。高速、低功率組件更是眾所矚目之焦點(diǎn)，目前0.13um RF CMOS 工藝的晶體管，fT 值可達(dá)到60 GHz，這表示CMOS 晶體管有足夠的能力來(lái)處理高頻訊號(hào)， 所以產(chǎn)業(yè)界的主流幾乎以RF CMOS 技術(shù)，致力于低功率 RF IC 的優(yōu)化與研究。
CMOS
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