VMMK器件晶圓等級(jí)和芯片封裝工藝
　　如圖1所示，VMMK器件由于安華高特有的晶圓空腔工藝降低了損耗和常見(jiàn)的射頻表貼封裝帶來(lái)的寄生電路參數(shù)。通過(guò)消除焊接和封裝引腳之間的寄生電感和電容，在芯片和封裝間形成了一個(gè)低損耗和低阻抗的信號(hào)通道。在元件之上的空腔具有低介電常數(shù)因此能夠在高頻進(jìn)行工作，此外空腔能夠在器件應(yīng)用中提供機(jī)械保護(hù)。
　　
　　圖1 安華高低成本半導(dǎo)體工藝流程
　　如圖2所示，器件的輸入端和輸出端都是通過(guò)晶圓背面的孔連接，消除了絲焊導(dǎo)致的性能下降。安華高關(guān)于VMMK金屬化和密封工藝保證了器件能夠在標(biāo)準(zhǔn)焊接流程下進(jìn)行操作。
　　VMMK器件工藝消除絲焊和改善熱特性能夠增加貼片的穩(wěn)定性。VMMK器件工藝在表貼工藝流程中沒(méi)有增加任何新的設(shè)備，現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)貼片設(shè)備完全滿足要求。
　　最后，通過(guò)消除封裝管腳引線，VMMK器件相對(duì)于傳統(tǒng)的射頻表貼器件變的更薄，更輕和布板面積更小。例如，VMMK-2x03射頻放大器（1mm*0.5mm*0.25mm）只需要SOT-342封裝5%的體積和10%的PCB面積。相比于許多標(biāo)準(zhǔn)的射頻表貼封裝器件，VMMK器件至少節(jié)省了50%的PCB面積。
　　隨著寄生效應(yīng)的減少，VMMK器件直接與PCB導(dǎo)線相連降低信號(hào)通道上的損耗。VMMK器件的空腔結(jié)構(gòu)能夠有效的降低寄生參數(shù)和提高性能。
　　
　　圖2 安華高晶圓空腔工藝降低射頻損耗和寄生電感電容
　　低成本下優(yōu)秀的性能
　　安華高VMMK器件工藝具有批量的半導(dǎo)體制造能力。如圖3所示，依靠消除傳統(tǒng)SMT封裝中成本高的工藝步驟，例如打金線、單元連接和SMT塑模，安華高 VMMK器件工藝能夠在低成本下發(fā)揮更優(yōu)秀的性能。VMMK器件的尺寸非常小，如圖4所示，在SOT-343封裝下能夠容納20個(gè)VMMK器件。