資料介紹
1 引言
低溫共燒陶瓷(LTCC)是用于實(shí)現(xiàn)高集成度、高性能電子封裝的三維多層封裝技術(shù)。在微波、毫米波系統(tǒng)中,可廣泛應(yīng)用于多芯片模塊(MCM)電路設(shè)計(jì)中。在三維MCM系統(tǒng)集成技術(shù)中,LTCC技術(shù)集高密度多層互連、內(nèi)埋無源元件和氣密性封裝于一體,使多種電路封裝在同一多層結(jié)構(gòu)中,可集成數(shù)字、模擬、RF/微波電路,這些優(yōu)點(diǎn)使其成為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級封裝(SIP)的首選技術(shù)。
在瞬時(shí)測頻、測量儀器及高速數(shù)字電路等領(lǐng)域中,寬帶微波延遲線是關(guān)鍵部件,其性能指標(biāo)主要取決于延遲線的長度和相位精度。傳統(tǒng)的延遲線一般用同軸電纜實(shí)現(xiàn)[5],不僅體積龐大,而且制作過程引入許多人為因素,一致性較差,對后級電路處理帶來不良影響。也有采用平面彎折的帶線結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)延遲線,但這種二維結(jié)構(gòu)的相鄰線段間距離必須保持足夠大,以減小線間耦合,這無疑增加了延遲線的尺寸;而采用LTCC多層基板制作的延遲線通過三維互連技術(shù),將彎折線分別置于不同層,不但體積大大縮小,而且一致性獲得了提高。
2 LTCC多層結(jié)構(gòu)中帶線之間的轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
在LTCC多層基板中,位于表層的微帶線與埋置于中間層的帶狀線之間,以及中間層間的帶狀線之間的轉(zhuǎn)換可以通過一種“類同軸垂直轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)”來實(shí)現(xiàn)。其概念來自于同軸傳輸線結(jié)構(gòu),它是由一組連接不同金屬化地層的通孔作為外圈屏蔽層組成,被這些屏蔽通孔圍繞的中心通孔類似于同軸線的中心導(dǎo)體以連接不同層間的信號線,如圖1所示。

?。╝)俯視圖

?。╞)微帶線與帶狀線的類同軸垂直轉(zhuǎn)換
圖1 LTCC多層基板中的類同軸垂直轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)
根據(jù)同軸傳輸線理論,圖1所示的多層類同軸垂直轉(zhuǎn)換可以采用同軸線的特性阻抗公式(1),通過調(diào)整外層屏蔽通孔圈的直徑D0,來獲得50W標(biāo)準(zhǔn)阻抗。
低溫共燒陶瓷(LTCC)是用于實(shí)現(xiàn)高集成度、高性能電子封裝的三維多層封裝技術(shù)。在微波、毫米波系統(tǒng)中,可廣泛應(yīng)用于多芯片模塊(MCM)電路設(shè)計(jì)中。在三維MCM系統(tǒng)集成技術(shù)中,LTCC技術(shù)集高密度多層互連、內(nèi)埋無源元件和氣密性封裝于一體,使多種電路封裝在同一多層結(jié)構(gòu)中,可集成數(shù)字、模擬、RF/微波電路,這些優(yōu)點(diǎn)使其成為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級封裝(SIP)的首選技術(shù)。
在瞬時(shí)測頻、測量儀器及高速數(shù)字電路等領(lǐng)域中,寬帶微波延遲線是關(guān)鍵部件,其性能指標(biāo)主要取決于延遲線的長度和相位精度。傳統(tǒng)的延遲線一般用同軸電纜實(shí)現(xiàn)[5],不僅體積龐大,而且制作過程引入許多人為因素,一致性較差,對后級電路處理帶來不良影響。也有采用平面彎折的帶線結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)延遲線,但這種二維結(jié)構(gòu)的相鄰線段間距離必須保持足夠大,以減小線間耦合,這無疑增加了延遲線的尺寸;而采用LTCC多層基板制作的延遲線通過三維互連技術(shù),將彎折線分別置于不同層,不但體積大大縮小,而且一致性獲得了提高。
2 LTCC多層結(jié)構(gòu)中帶線之間的轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
在LTCC多層基板中,位于表層的微帶線與埋置于中間層的帶狀線之間,以及中間層間的帶狀線之間的轉(zhuǎn)換可以通過一種“類同軸垂直轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)”來實(shí)現(xiàn)。其概念來自于同軸傳輸線結(jié)構(gòu),它是由一組連接不同金屬化地層的通孔作為外圈屏蔽層組成,被這些屏蔽通孔圍繞的中心通孔類似于同軸線的中心導(dǎo)體以連接不同層間的信號線,如圖1所示。

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圖1 LTCC多層基板中的類同軸垂直轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)
根據(jù)同軸傳輸線理論,圖1所示的多層類同軸垂直轉(zhuǎn)換可以采用同軸線的特性阻抗公式(1),通過調(diào)整外層屏蔽通孔圈的直徑D0,來獲得50W標(biāo)準(zhǔn)阻抗。
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