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用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測(cè)量，得到氮離子注入層的方塊電阻Rsh為30 kΩ/square, Ni/Cr合金與離子注入層的歐姆接觸電阻ρc為7.1×10?4 Ωcm2。
關(guān) 鍵 詞 SiC; 離子注入; 歐姆接觸; 方塊電阻
Abstract Doping by nitrogen ion-implantation is used to fabricate the Ohmic contacts of 4H-SiC. The implantation depth profile is simulated with the Monte Carlo simulator TRIM. Ni/Cr/Si-face 4H-SiC Ohmic contacts are measured by transfer length method structures. The result for sheet resistance Rsh of the implanted layers is 30 kΩ/square. The specific contact resistances ρc of Ohmic contacts is 7.1×10?4 Ωcm2.
Key words silicon carbide; ion implantation; Ohmic contact; sheet resistance
Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation
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