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??????? 設(shè)計了一種采用0.6μmCMOS工藝的低功耗差動帶隙基準電壓源電路。在設(shè)計中采用
兩個pn結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)來減小運放失調(diào)電壓的影響，并采用自偏置共源共柵運放來改善MOS器件對電源的依賴性。這種帶隙基準源輸出電壓為2V，功耗為2.3mW,溫度系數(shù)可達到13ppm/℃，主要適用于高精度模擬系統(tǒng)，并帶有提高電源抑制比電路和啟動電路。
關(guān)鍵詞: CMOS 低功耗 基準電壓源
???????? 隨著集成電路工藝和設(shè)計水平的發(fā)展，在模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)等混合信號集成電路設(shè)計中,高性能的電壓基準源設(shè)計已成為關(guān)鍵技術(shù)之一。由于電壓基準源的溫度穩(wěn)定性以及抗噪聲能力是影響A/D、D/A 轉(zhuǎn)換精度的關(guān)鍵因素, 甚至影響到整個系統(tǒng)的精度和性能。因此, 設(shè)計一個好的基準電壓源具有十分重要的現(xiàn)實意義。電壓基準源有基于正向ＶＢＥ的電壓基準、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準、帶隙電壓基準等多種。其中,帶隙電壓基準具有低溫度系數(shù)、低基準電壓、高電源抑制比、長期穩(wěn)定性并且可與標準CMOS工藝兼容等優(yōu)點,因而得到廣泛的研究應(yīng)用。
兩個pn結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)來減小運放失調(diào)電壓的影響，并采用自偏置共源共柵運放來改善MOS器件對電源的依賴性。這種帶隙基準源輸出電壓為2V，功耗為2.3mW,溫度系數(shù)可達到13ppm/℃，主要適用于高精度模擬系統(tǒng)，并帶有提高電源抑制比電路和啟動電路。
關(guān)鍵詞: CMOS 低功耗 基準電壓源
???????? 隨著集成電路工藝和設(shè)計水平的發(fā)展，在模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)等混合信號集成電路設(shè)計中,高性能的電壓基準源設(shè)計已成為關(guān)鍵技術(shù)之一。由于電壓基準源的溫度穩(wěn)定性以及抗噪聲能力是影響A/D、D/A 轉(zhuǎn)換精度的關(guān)鍵因素, 甚至影響到整個系統(tǒng)的精度和性能。因此, 設(shè)計一個好的基準電壓源具有十分重要的現(xiàn)實意義。電壓基準源有基于正向ＶＢＥ的電壓基準、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準、帶隙電壓基準等多種。其中,帶隙電壓基準具有低溫度系數(shù)、低基準電壓、高電源抑制比、長期穩(wěn)定性并且可與標準CMOS工藝兼容等優(yōu)點,因而得到廣泛的研究應(yīng)用。
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