資料介紹
摘? 要?:隨著絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)技術(shù)的發(fā)展,目前主流的場截止型結(jié)構(gòu)越來越接近其理論極限。 超結(jié)被譽為“功率 MOS 的里程碑”,近年來也被引入 IGBT 以進一步提升器件性能。超結(jié) IGBT 結(jié)合了場截止 型 IGBT 和超結(jié)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點,可在更短漂移區(qū)長度下實現(xiàn)高耐壓和低損耗。然而,作為一種雙極型器件,超結(jié) IGBT 具有與超結(jié) MOSFET 不同的工作原理。文章從超結(jié)原理出發(fā),揭示了超結(jié) IGBT 的結(jié)構(gòu)特點和工作原理, 并對超結(jié) IGBT 的最新研究進展進行了梳理和概括。
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