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許多嵌入式系統(tǒng)都需要一定數(shù)目的易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)臨時(shí)數(shù)據(jù)。對(duì)于支持網(wǎng)絡(luò)連接的器件來(lái)說(shuō)，這種需求更是日益增大。串行SRAM具有封裝體積小、I/O引腳需求量小、功耗低和成本低的優(yōu)點(diǎn)，因此當(dāng)用戶選擇易失性存儲(chǔ)器時(shí)，它深受用戶的歡迎。Microchip致力于滿足這種需求，為用戶提供了一系列采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SPI通信的串行SRAM器件。串行SRAM器件有多種容量、工作電壓范圍以及封裝可供用戶選擇。串行SRAM產(chǎn)品可取代傳統(tǒng)的并行結(jié)構(gòu)產(chǎn)品，能夠節(jié)省電路板的面積以及減小MCU上的I/O數(shù)量。
當(dāng)使用串行SRAM時(shí)，為提高應(yīng)用的可靠性，設(shè)計(jì)者僅考慮數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)范還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。有多種條件可能導(dǎo)致非標(biāo)準(zhǔn)工作。本應(yīng)用筆記將對(duì)其中最重要的條件進(jìn)行討論。
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