資料介紹
采用濺射技術(shù), 對薄膜沉積的相關(guān)工藝參數(shù)進行了優(yōu)化, 獲得了電阻溫度系數(shù)TCR≤±10×10- 6?℃的錳銅薄膜。該項技術(shù)為錳銅傳感器的薄膜化奠定了基礎(chǔ), 同時也可用于制作錳銅薄膜精密電阻器。
關(guān)鍵詞 錳銅 薄膜 電阻溫度系數(shù) 濺射
Abstract M anganin th in film s were p repared by sput tering. The TCR s of the film s were decreased to 10× 10- 6?℃ using op t im ized depo sit ion parameters. Th is technique can be app lied to manganin th in film gauges and th in film p recision resisto rs.
Key words M anganin Th in film Temperature coefficient of resistance Sput tering
關(guān)鍵詞 錳銅 薄膜 電阻溫度系數(shù) 濺射
Abstract M anganin th in film s were p repared by sput tering. The TCR s of the film s were decreased to 10× 10- 6?℃ using op t im ized depo sit ion parameters. Th is technique can be app lied to manganin th in film gauges and th in film p recision resisto rs.
Key words M anganin Th in film Temperature coefficient of resistance Sput tering
電阻薄膜
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