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      標簽　>　東芝

      東芝是日本最大的半導體制造商，亦是第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團旗下。東芝原名東京芝浦電氣株式會社，1939年由株式會社芝浦制作所和東京電氣株式會社合并而成；從1875年開創(chuàng)至今，已經(jīng)走過了140年的漫長歷程。

      文章：1316個 瀏覽：124585次 帖子：34個

      東芝數(shù)據(jù)手冊

      型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
      RN2305,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN2302,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN2306,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN2303,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN2311,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN2310,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      GT40RR21(STA1,E IGBT 1200 V 40 A 230 W 通孔 TO-3P（N）
      RN1112(TE85L,F) 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SSM
      RN1112,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SSM
      RN2316,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      HN1B04FE-GR,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 NPN，PNP 50V 150mA 80MHz 100mW 表面貼裝型 ES6
      HN1B04FE-Y,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 NPN，PNP 50V 150mA 80MHz 100mW 表面貼裝型 ES6
      RN1303,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN1306,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN1301,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN1304,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN1305,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN1302,LXHF 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SC-70
      RN1105,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SSM
      RN1104,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SSM
      SSM3J16FU(TE85L,F) 表面貼裝型 P 通道 20 V 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
      GT40WR21,Q DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
      RN4985FE,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置 1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 50V 100mA 250MHz，200MHz 100mW 表面貼裝型 ES6
      RN1911FE,LF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置 2 個 NPN 預偏壓式（雙） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面貼裝型 ES6
      RN1911FE,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置 2 個 NPN 預偏壓式（雙） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面貼裝型 ES6
      RN4911FE,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置 1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 50V 100mA 200MHz，250MHz 100mW 表面貼裝型 ES6
      RN1909FE,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置 2 個 NPN 預偏壓式（雙） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面貼裝型 ES6
      RN1111,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SSM
      RN2112,LXHF(CT AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=22K,
      RN1103,LXHF(CT 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置) NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面貼裝型 SSM

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