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      標(biāo)簽　>　光刻膠

      光刻膠

      +關(guān)注10人關(guān)注

      光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

      文章：339個 瀏覽：31808次 帖子：4個

      光刻膠技術(shù)

      光刻膠旋轉(zhuǎn)涂膠的原因

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      2024-04-30 標(biāo)簽：光刻膠 1.8k 0

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      2024-04-24 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 7.5k 0

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      上圖是TSV工藝的一般流程。TSV，全名Through-Silicon Via，又叫硅通孔工藝。

      2024-04-17 標(biāo)簽：CMPTSV光刻膠 4.5k 0

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      2024-04-16 標(biāo)簽：光伏電池光刻膠晶圓制造 1.9k 0

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      請問3D NAND如何進(jìn)行臺階刻蝕呢？

      在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。

      2024-04-01 標(biāo)簽：NAND光刻膠 2.7k 0

      SU-8光刻膠起源、曝光、特性

      SU-8光刻膠起源、曝光、特性

      在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng)，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng)，導(dǎo)致SU-8光刻膠在...

      2024-03-31 標(biāo)簽：光刻膠 9.5k 0

      XeF2和SF6可以相互替換嗎？XeF2和SF6對硅腐蝕的區(qū)別？

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      我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當(dāng)做腐蝕硅的氣體，XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體，而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體，那么XeF2和...

      2024-03-21 標(biāo)簽：光刻膠 3.1k 0

      芯片制造工藝：光學(xué)光刻-掩膜、光刻膠

      芯片制造工藝：光學(xué)光刻-掩膜、光刻膠

      制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

      2024-03-20 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片制造 7k 0

      關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

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      與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留...

      2024-03-20 標(biāo)簽：電子束光刻膠 5.6k 0

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      超構(gòu)表面是近年來出現(xiàn)一種新型的光學(xué)器件，也被稱為超構(gòu)器件。

      2024-03-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器光刻膠 2.4k 0

      芯片制造工藝為什么用黃光?

      芯片制造工藝為什么用黃光?

      光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過程。

      2024-03-18 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻 4k 0

      電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見問題介紹

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      本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。

      2024-03-17 標(biāo)簽：繼電器探測器SEM 3.3k 0

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      2024-03-07 標(biāo)簽：濾波器光刻膠SAW濾波器 7k 0

      一文解析半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”

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      利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

      2024-03-06 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)光刻膠 2.7k 0

      光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

      光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。

      2024-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件光刻機(jī) 1.0萬 0

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      如何在芯片中減少光刻膠的使用量

      光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時(shí)間。

      2024-03-04 標(biāo)簽：晶圓光刻膠 2.3k 0

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      7.5 μm像元間距紅外探測器三維電極的制備與應(yīng)用案例

      隨著各類小型化自動武器裝備在戰(zhàn)場上被高頻使用，并獲得了大量戰(zhàn)果，此類裝備的國防需求不斷增長。

      2024-02-28 標(biāo)簽：紅外探測器光刻膠 1.7k 0

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      什么是PSPI？PSPI相較于非光敏性PI的優(yōu)勢？

      PSPI（光敏性聚酰亞胺）是一種十分重要的半導(dǎo)體材料，也是一種十分被卡脖子的材料。

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      晶圓級封裝(WLP)的各項(xiàng)材料及其作用

      本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項(xiàng)材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑，這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。

      2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝封裝工藝光刻膠 3.9k 0

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        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
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