cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標(biāo)簽：光刻CMP晶圓制造 2.5萬(wàn) 1

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計(jì)量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時(shí)提供可接受的吞吐量，解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競(jìng)爭(zhēng)要求。

2023-07-10 標(biāo)簽：內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 3.2k 0

《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》

從封裝的角度來(lái)看，要提高帶寬，需要考慮兩個(gè)關(guān)鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個(gè)I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個(gè)布線層/再分布層（RDL）中實(shí)...

2023-07-05 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 1.9k 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 3.4k 0

綜述：聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

非光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類，第一類能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻印（SPL）和噴墨打??；第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材...

2023-06-21 標(biāo)簽：傳感器光刻噴墨打印 3.6k 0

面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-14 標(biāo)簽：集成電路光刻微電子 930 0

半導(dǎo)體制造光刻工藝制作流程

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量...

2023-06-13 標(biāo)簽：MOSFET光刻 1.8k 0

半導(dǎo)體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一，常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過(guò)程開(kāi)始于在硅片上涂布光刻膠，隨后對(duì)其進(jìn)行預(yù)熱。接著，選擇一種光源（如深紫外光或X...

2023-06-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 6.5k 0

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。

2023-06-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 2.2k 0

PCB上的死銅對(duì)電路性能的影響

在PCB的制造和設(shè)計(jì)過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)一種叫做"死銅"的問(wèn)題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對(duì)電路性能的影響以及解決方法。

2023-06-05 標(biāo)簽：電路pcbPCB設(shè)計(jì) 2.1k 0

EUV光源四種產(chǎn)生方式及對(duì)比分析

隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，光刻光源的曝光波長(zhǎng)已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長(zhǎng)為436nm、365nm （分別來(lái)自于汞弧燈可見(jiàn)光g線和紫外光i線），所...

2023-06-01 標(biāo)簽：集成電路光刻EUV 3.5k 0

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢(shì)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-05-26 標(biāo)簽：集成電路光刻光刻技術(shù) 1.6k 0

樂(lè)趣探索不一樣的計(jì)算光刻

之前的小講堂有介紹過(guò)，光刻過(guò)程就好比用照相機(jī)拍照，將掩模版上的芯片設(shè)計(jì)版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結(jié)構(gòu)。ASML光刻機(jī)的鏡片組使用極其精密的加...

2023-05-25 標(biāo)簽：光刻微電路ASML 1.7k 0

光刻技術(shù)：光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量（OCD）原理

　　集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關(guān)鍵的一個(gè)參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過(guò)光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條...

2023-05-24 標(biāo)簽：集成電路光刻OCD 1.2萬(wàn) 0

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。

2023-05-18 標(biāo)簽：光刻人工智能EUV 4.4k 0

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...

2023-04-25 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2.7k 0

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...

2023-04-25 標(biāo)簽：芯片電子元件光刻 5.3k 0

光刻技術(shù)簡(jiǎn)述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過(guò)程

2023-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻光刻工藝 2.9k 0

計(jì)算光刻技術(shù)有多重要？計(jì)算光刻如何改變2nm芯片制造？

光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過(guò)程，是芯片制造過(guò)程的起始階段，包括兩個(gè)階段——光掩膜制造和圖案投影。

2023-04-25 標(biāo)簽：gpu芯片制造光刻 2.1k 0

昂圖科技的極大尺寸照射場(chǎng)高分辨率光刻系統(tǒng)克服了FOPLP圖形形變挑戰(zhàn)

異構(gòu)集成技術(shù)集成了多個(gè)來(lái)自不同制程與功能各異的芯片來(lái)達(dá)到更優(yōu)越的效能。在大尺寸的面板級(jí)封裝中，現(xiàn)存的步進(jìn)式曝光機(jī)有著最大單一照射場(chǎng)（Exposure F...

2023-04-23 標(biāo)簽：芯片封裝分辨率 2.6k 0