揭秘半導體制造全流程（中篇）

本期，我們將繼續(xù)探索半導體制造過程中的兩大關鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。

2022-08-01 標簽：晶圓半導體制造刻蝕 6.1k 0

揭秘半導體制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個步驟：互連、測試和封裝，以完成半導體芯片的制造。

2022-08-01 標簽：晶圓半導體制造刻蝕 4.7k 0

污染和清洗順序對堿性紋理化的影響

本文介紹了我們華林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

2022-05-18 標簽：晶片清洗刻蝕 1.1k 0

詳解化學鎳沉積技術的沉積過程

本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響，以幫助詳細了解...

2022-05-13 標簽：工藝晶片刻蝕 2.2k 0

通過濕法化學刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標簽：薄膜刻蝕 2k 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

　　濕式蝕刻過程的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學物質可以非常精確地適應于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大...

2022-04-15 標簽：工藝晶片刻蝕 3.5k 0

單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發(fā)，實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標簽：晶圓SiC刻蝕 2.6k 0

通過化學濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實現(xiàn)固態(tài)照明，需要進一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1.7k 0

硅晶圓蝕刻過程中的流程和化學反應

引言 硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質層。為了去除該加工...

2022-04-08 標簽：半導體硅晶圓刻蝕 2.9k 0

濕式蝕刻過程的原理是什么

濕式蝕刻過程的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學物質可以非常精確地適應于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大于1...

2022-04-07 標簽：工藝刻蝕 3.5k 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應離子蝕刻法和金屬催化化學蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標簽：半導體晶圓刻蝕 3.7k 0

采用濕蝕刻技術制備黑硅

本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標簽：測試材料刻蝕 1.4k 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結構包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標簽：工藝晶片刻蝕 1.6k 0

微機械中的各向異性蝕刻技術與發(fā)展方向

單晶S1， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結構材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是， 除了單晶SI或機械性強之外，...

2022-03-29 標簽：晶圓單晶硅刻蝕 1.8k 0