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      標(biāo)簽　>　功率半導(dǎo)體

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      • 知識(shí)
      • 相關(guān)內(nèi)容

      功率半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

      　　《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書(shū)，作者是（瑞士）林德。《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。

      　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

      　　功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書(shū)中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專(zhuān)家，作者還給出了上述各類(lèi)器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。

      功率半導(dǎo)體百科

      　　《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書(shū)，作者是（瑞士）林德?！豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。

      　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

      　　功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書(shū)中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專(zhuān)家，作者還給出了上述各類(lèi)器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。

      　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專(zhuān)業(yè)、自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書(shū)，也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書(shū)。

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      功率半導(dǎo)體知識(shí)

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      功率半導(dǎo)體技術(shù)

      一文讀懂SiC功率模塊datasheet所有細(xì)節(jié)：特征參數(shù)、特性曲線與工程應(yīng)用全解析

      一文讀懂SiC功率模塊datasheet所有細(xì)節(jié)：特征參數(shù)、特性曲線與工程應(yīng)用全解析

      -關(guān)于SIC關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v2.0版本，全文21000字-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：Danfoss,infineon,NXP,ROHM,網(wǎng)絡(luò)-非授權(quán)不得...

      2026-03-11 標(biāo)簽：SiC功率模塊功率半導(dǎo)體 713 0

      博世PM6功率模塊方案深度解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、互連方式、高熱導(dǎo)與可靠性設(shè)計(jì)

      博世PM6功率模塊方案深度解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、互連方式、高熱導(dǎo)與可靠性設(shè)計(jì)

      以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于BoschPM6功率模塊平臺(tái)化方案深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)選，非授權(quán)不得...

      2026-03-08 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體博世 584 0

      場(chǎng)效應(yīng)管選型指南：從技術(shù)演進(jìn)到應(yīng)用實(shí)踐的全景解讀

      場(chǎng)效應(yīng)管選型指南：從技術(shù)演進(jìn)到應(yīng)用實(shí)踐的全景解讀

      一、行業(yè)背景：功率半導(dǎo)體面臨的三重挑戰(zhàn)在智能化浪潮推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體元件正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。從新能源汽車(chē)的電驅(qū)系統(tǒng)到工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的伺服控制，從消...

      2026-03-07 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管器件功率半導(dǎo)體 229 0

      全球十大主流車(chē)規(guī)級(jí)功率封裝全景解析：HPD, DCM, TPAK, ZPAK, eMPack, PM6, 埋嵌, 混碳, 分立

      全球十大主流車(chē)規(guī)級(jí)功率封裝全景解析：HPD, DCM, TPAK, ZPAK, eMPack, PM6, 埋嵌, 混碳, 分立

      以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于全球十大車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝·全景解析，共19500字-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：各器件廠商信息，第...

      2026-03-07 標(biāo)簽：DCM功率半導(dǎo)體大功率封裝 694 0

      Si/SiC功率半導(dǎo)體選型與應(yīng)用指南：兩類(lèi)器件特性、4種控制策略與拓?fù)?、多種動(dòng)力構(gòu)型/駕駛循環(huán)/性能需求

      Si/SiC功率半導(dǎo)體選型與應(yīng)用指南：兩類(lèi)器件特性、4種控制策略與拓?fù)?、多種動(dòng)力構(gòu)型/駕駛循環(huán)/性能需求

      -關(guān)于選IGBT還是SIC的解讀-來(lái)源：Infineon,Xpeng,Yole,SysPro-在保證原主旨基礎(chǔ)上，對(duì)內(nèi)容進(jìn)行重構(gòu)和擴(kuò)展說(shuō)明-更多體系化內(nèi)...

      2026-02-24 標(biāo)簽：控制器SiC功率半導(dǎo)體 1k 0

      電力電子控制從線性控制到模型預(yù)測(cè)控制在SiC功率系統(tǒng)中的融合與應(yīng)用

      全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新...

      2026-02-12 標(biāo)簽：SiC電子控制功率半導(dǎo)體 1.1k 0

      一文了解什么是功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的失效

      一文了解什么是功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的失效

      功率半導(dǎo)體器件失效，指的是器件功能完全或部分喪失、參數(shù)發(fā)生顯著漂移，或間歇性出現(xiàn)上述異常狀態(tài)。無(wú)論失效是否可逆，一旦發(fā)生，該器件在實(shí)際應(yīng)用中便不再具備使...

      2026-01-15 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件失效模式 218 0

      博世PM6功率模塊平臺(tái)化方案全景解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、燒結(jié)/互聯(lián)、AMB+DBC

      博世PM6功率模塊平臺(tái)化方案全景解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、燒結(jié)/互聯(lián)、AMB+DBC

      以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于BoschPM6功率模塊平臺(tái)化方案深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)選，非授權(quán)不得...

      2026-01-14 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體博世 2.2k 0

      功率半導(dǎo)體熱阻（Rth）基礎(chǔ)知識(shí)的詳解；

      功率半導(dǎo)體熱阻（Rth）基礎(chǔ)知識(shí)的詳解；

      【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

      2026-01-12 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 5.2k 0

      Wolfspeed在碳化硅功率模塊中應(yīng)對(duì)功率循環(huán)挑戰(zhàn)的方法

      Wolfspeed在碳化硅功率模塊中應(yīng)對(duì)功率循環(huán)挑戰(zhàn)的方法

      碳化硅 (SiC) 功率器件在汽車(chē)、可再生能源、工業(yè)電動(dòng)交通和航空航天市場(chǎng)的快速應(yīng)用，重新定義了系統(tǒng)要求。傳統(tǒng)的認(rèn)證已不再足夠?？蛻衄F(xiàn)在要求耐久性，確保...

      2026-01-08 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體碳化硅 8.4k 0

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      功率半導(dǎo)體資料下載

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      功率半導(dǎo)體資訊

      長(zhǎng)晶浦聯(lián)權(quán)威管理體系認(rèn)證樹(shù)立半導(dǎo)體新高度

      以標(biāo)準(zhǔn)立信，以體系賦能。作為長(zhǎng)晶科技布局功率半導(dǎo)體封測(cè)的重要一環(huán)，江蘇長(zhǎng)晶浦聯(lián)功率半導(dǎo)體有限公司自成立以來(lái)，始終秉持“全員參與、追求卓越、信守承諾、客戶...

      2026-03-23 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 220 0

      模元（Token）工廠能源供應(yīng)系統(tǒng)重構(gòu)與SiC功率半導(dǎo)體賦能

      模元（Token）工廠能源供應(yīng)系統(tǒng)重構(gòu)與SiC功率半導(dǎo)體賦能

      模元（Token）工廠能源供應(yīng)系統(tǒng)重構(gòu)與基本半導(dǎo)體全系列SiC功率半導(dǎo)體賦能深度分析 核心技術(shù)演進(jìn)與模元（Token）工廠的能源范式躍遷 隨著人工智能生...

      2026-03-21 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體 178 0

      東海半導(dǎo)體亮相2026功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會(huì)

      3月11日，以“智驅(qū)未來(lái)?芯聚生態(tài)”為主題的 2026第三屆功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會(huì)暨金剛石產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇 在 合肥 舉行。大會(huì)匯聚了來(lái)自產(chǎn)業(yè)...

      2026-03-19 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 195 0

      面向制藥發(fā)酵罐過(guò)程控制系統(tǒng)的功率半導(dǎo)體選型分析——以高可靠、高精度電源與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)為例

      面向制藥發(fā)酵罐過(guò)程控制系統(tǒng)的功率半導(dǎo)體選型分析——以高可靠、高精度電源與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)為例

      在生物制藥與精細(xì)化工領(lǐng)域，發(fā)酵罐過(guò)程控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性、精度與可靠性直接關(guān)系到產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)安全與經(jīng)濟(jì)效益。其電控系統(tǒng)作為“過(guò)程控制的心臟與執(zhí)行臂”，負(fù)責(zé)...

      2026-03-18 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 156 0

      浮思特 | 8英寸碳化硅晶圓為什么重要?至信微量產(chǎn)背后的技術(shù)邏輯

      浮思特 | 8英寸碳化硅晶圓為什么重要?至信微量產(chǎn)背后的技術(shù)邏輯

      隨著新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高端工業(yè)電源等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件正迎來(lái)新一輪技術(shù)升級(jí)。其中，碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的重...

      2026-03-17 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 253 0

      2026年國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體漲價(jià)潮深度分析：結(jié)構(gòu)性景氣、技術(shù)溢價(jià)與自主可控供應(yīng)鏈韌性

      2026年國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體漲價(jià)潮深度分析：結(jié)構(gòu)性景氣、技術(shù)溢價(jià)與自主可控供應(yīng)鏈韌性

      2026年國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體漲價(jià)潮深度分析：結(jié)構(gòu)性景氣、技術(shù)溢價(jià)與自主可控供應(yīng)鏈韌性 進(jìn)入2026年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的范式轉(zhuǎn)換。在此之前，功率...

      2026-03-12 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 741 0

      長(zhǎng)晶科技榮獲高質(zhì)量建設(shè)江北新主城先進(jìn)集體稱號(hào)

      近日，南京江北新區(qū)、浦口區(qū)召開(kāi)2025年度綜合表彰大會(huì)。江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司憑借卓越的產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)和創(chuàng)新實(shí)力，榮獲“高質(zhì)量建設(shè)江北新主城先進(jìn)集體”稱號(hào)！

      2026-03-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體長(zhǎng)晶科技 409 0

      AOS松江工廠重大突破：全球首條35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓正式量產(chǎn)

      AOS松江工廠重大突破：全球首條35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓正式量產(chǎn)

      文 | 國(guó)家級(jí)上海松江經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū) 圖 | 尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司 把一片晶圓磨到只有35微米厚，是什么概念？相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的一半。AOS萬(wàn)...

      2026-03-06 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體AOS 1.3k 0

      功率循環(huán)基礎(chǔ)篇（二） —— 功率循環(huán)壽命曲線解讀

      功率循環(huán)基礎(chǔ)篇（二） —— 功率循環(huán)壽命曲線解讀

      功率循環(huán)壽命曲線是評(píng)估功率半導(dǎo)體器件（如 ?IGBT?模塊）在溫度交變應(yīng)力下長(zhǎng)期可靠性的核心工具。該曲線通常以 結(jié)溫波動(dòng)幅度?ΔTj 為橫坐標(biāo)，以器件達(dá)...

      2026-03-02 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 160 0

      碳化硅(SiC)功率模塊標(biāo)稱電流的定義、物理來(lái)源與工程降額解析

      碳化硅(SiC)功率模塊標(biāo)稱電流的定義、物理來(lái)源與工程降額解析

      在現(xiàn)代電力電子與能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，功率半導(dǎo)體器件的物理邊界直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率、功率密度、體積重量以及熱設(shè)計(jì)架構(gòu)的復(fù)雜程度。

      2026-03-09 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體碳化硅 841 0

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      功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
      • UCD3138
        UCD3138
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