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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 (湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心) 摘要: 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求,...
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?
基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開...
2024-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 835 0
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更...
繼電器光耦主要由發(fā)光二極管(LED)和光敏三極管(或光敏電阻)兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端,當(dāng)輸入電流通過時(shí),會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及,電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件,功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此,1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢?
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有...
碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨(dú)特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(Si...
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,因此不會(huì)立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流,也具有足夠的冷卻能...
碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域
隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長(zhǎng)。
IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)...
PWM技術(shù)的電動(dòng)跑步機(jī)電源設(shè)計(jì)分析
近年來,隨著新型電力電子功率器件的不斷出現(xiàn),直流電機(jī)的控制方式發(fā)生了較大的變化。采用全控型的開關(guān)功率元件進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制(pulse width mod...
雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...
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