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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

文章：2021個瀏覽：95273次帖子：53個

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功率器件技術

功率器件在靜止變頻技術中的應用

功率器件在靜止變頻技術中的應用主要有三個方面：首先，功率器件可以用來控制電機的轉速，從而實現(xiàn)變頻控制；其次，功率器件可以用來控制電機的功率，從而實現(xiàn)節(jié)能...

2023-02-16 標簽：功率器件變頻技術控制電機 706 0

開關電源功率器件的散熱

電源功率器件的散熱主要有熱封裝技術、冷封裝技術和散熱器技術。熱封裝技術是將電子元件封裝在一個熱熔膠中，以保護元件免受外界環(huán)境的損害，并使元件能夠正常工作...

2023-02-16 標簽：電源散熱器功率器件 1.2k 0

功率器件選購須知要素

功率器件的選擇要根據(jù)應用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進行綜合考慮。首先，要考慮功率器件的工作溫度范圍，以確定功率器件的耐溫性能。其次，要考慮功率器件的...

2023-02-16 標簽：封裝功率器件散熱性能 1.3k 0

SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...

2023-02-16 標簽：封裝技術功率器件 SiC 5.1k 0

化學氣相沉積法碳化硅外延設備技術進展

碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在...

2023-02-16 標簽：半導體工藝功率器件 1.3萬 0

功率MOSFET心得

功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...

2023-02-15 標簽：MOSFET 半導體場效應管 1.1k 0

功率器件的保護方法

功率器件的選擇應根據(jù)電路的要求，考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數(shù)，以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素，以確保功率器件的可靠性和性能。

2023-02-15 標簽：電路電流功率器件 1.2k 0

伺服驅動技術發(fā)展現(xiàn)狀及開發(fā)趨勢

值得關注的還有機械諧振抑制技術和多軸驅動一體化技術的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能，而且均能提供四到五個不同諧振范圍的機械...

2023-02-15 標簽：控制器半導體技術功率器件 4k 0

硅基氮化鎵怎么制作的硅基氮化鎵的工藝流程

　　硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。

2023-02-14 標簽：功率器件硅基氮化鎵 2.3k 0

背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應用

當充電樁向高壓架構發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進器件結構的超級結MOSFET應運而生了。

2023-02-13 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 2.3k 0

一種陽極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

最近，AlGaN/GaN肖特基二極管（SBD）受到了越來越多的關注。該器件具有關斷速度快、擊穿電壓高導通電阻小等特點，因而被業(yè)界廣泛地認為是下一代功率器...

2023-02-13 標簽：二極管功率器件 GaN 2k 0

硅基氮化鎵用處

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對傳統(tǒng)硅材料功率器件進行替代。

2023-02-12 標簽：半導體功率器件硅基氮化鎵 1.1k 0

如何利用IT2800源表快速實現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測試？

MOSFET即金屬氧化物半導體場效應管，是電路設計中常用的功率開關器件，為壓控器件;其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅動電路簡單，驅動功率小，開關...

2023-02-12 標簽：MOSFET 場效應管功率器件 1.8k 0

DIPIPM?的PCB設計（2）

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...

2023-02-12 標簽：pcb IGBT PCB設計 3.7k 0

硅基氮化鎵工藝流程

硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...

2023-02-11 標簽：功率器件氮化鎵硅基 1.4萬 1

碳化硅二極管的區(qū)別和用途

隨著終端應用電子架構復雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.6k 0

惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導體器件應用

近年來，隨著功率半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件封測設備和材料在整個產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要，國內也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

2023-02-10 標簽：電力電子功率器件碳化硅 1.1k 0

功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南

動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應用和學術研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關工作的必備一環(huán)，主要采用...

2023-02-10 標簽：MOSFET 測試系統(tǒng)分立器件 920 0

什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標簽：功率器件 SiC CMP 4k 0

什么是功率器件，具有什么特性

　　功率器件被稱為功率電子器件，即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導體器件。它是電子部件和電子設備-發(fā)電機的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...

2023-02-07 標簽：MOSFET 驅動器功率器件 8.2k 0

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