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功率器件

功率器件

+關(guān)注43人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:2020個(gè) 瀏覽:95273 帖子:53個(gè)

功率器件技術(shù)

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...

2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 5k 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

毫無疑問,所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過去五年中,汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗(yàn)場(chǎng)。基于 SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1.8k 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對(duì)降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETJFET功率器件 3.2k 0

高壓功率器件封裝設(shè)計(jì)說明

高壓功率器件封裝設(shè)計(jì)說明

可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動(dòng)風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、太陽能光伏和電動(dòng)汽車的創(chuàng)新,1需要具有高...

2022-07-29 標(biāo)簽:封裝功率器件 1.5k 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下...

2022-07-29 標(biāo)簽:充電器功率器件SiC 1.9k 0

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 9.7k 0

用于可穿戴設(shè)備和汽車的功率器件方案

用于可穿戴設(shè)備和汽車的功率器件方案

PMIC 是小型電池供電設(shè)備的最佳選擇,因?yàn)樗鼈兛梢栽趩涡酒刑峁┩暾碾娫唇鉀Q方案,并包括電壓轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、電池電量指示器、電池充電器和 LED 驅(qū)...

2022-07-26 標(biāo)簽:電源電源管理功率器件 1.2k 0

抗輻射硅:仍然是空間電子的基準(zhǔn)

抗輻射硅:仍然是空間電子的基準(zhǔn)

性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況,設(shè)計(jì)人員可能會(huì)考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件COTS 2.2k 0

SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 1.6k 0

簡(jiǎn)述晶閘管的工作原理

簡(jiǎn)述晶閘管的工作原理

晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步,越來越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...

2022-07-22 標(biāo)簽:晶閘管工作原理功率器件 1.4萬 0

不常見的半導(dǎo)體功率器件有哪些

1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國(guó)通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...

2022-07-14 標(biāo)簽:二極管晶閘管功率器件 1.9k 0

GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

近年來,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來,對(duì)射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...

2022-07-11 標(biāo)簽:集成電路功率器件GaN 4.2k 0

如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源的要求

在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場(chǎng)設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高,對(duì)熱應(yīng)力和電...

2022-06-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.3萬 0

溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET的影響

溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET的影響

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低,它們的效率很高,因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。

2022-06-22 標(biāo)簽:MOSFET電壓功率器件 5.3k 0

功率MOSFET搭配散熱器的分析講解

功率MOSFET搭配散熱器的分析講解

功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說明.

2022-05-19 標(biāo)簽:MOSFET散熱器熱阻 1.3萬 0

高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?

首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...

2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 9.9k 0

氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

本文重點(diǎn)討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對(duì)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點(diǎn)加以說明。

2022-04-24 標(biāo)簽:雷達(dá)功率器件收發(fā)系統(tǒng) 7.3k 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān),開關(guān)速度非常快,1秒可以開關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達(dá)到幾十kHz,甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

2022-04-22 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 5.2k 0

英飛凌無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)介紹

英飛凌無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)介紹

無磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動(dòng)技術(shù),基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計(jì)和應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn),具有高共模瞬變抗擾度、精密時(shí)序控制、精確的短路保護(hù)、高電壓并可靠的輸出推挽MO...

2022-04-18 標(biāo)簽:英飛凌功率器件隔離驅(qū)動(dòng)芯片 6.3k 1

柵極電感對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響

柵極電感對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響

驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開通振蕩。

2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 5.1k 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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    OMAPL138
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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