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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術(shù)

基本半導體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應用

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2025-03-03 標簽：MOSFET 功率器件 PCS 2.9k 0

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

引言：隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件對散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關鍵材料，以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導率和機械強度...

2025-03-01 標簽：IGBT 散熱功率器件 2.4k 0

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關器件綜述

拿到一個ST的宣傳材料，該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案，也找了文章了解了一下原理。資料有限，標題的問題沒找到答案。有...

2025-03-01 標簽：MOSFET 逆變器功率器件 2.3k 0

GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解

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2025-02-27 標簽：功率器件 GaN 3.4萬 0

新型功率器件真空回流焊焊接空洞的探析及解決方案

隨著5G時代的到來，電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展，對于大功率器件的封裝，如IGBT、MOS、大功率LED等，也相應地對焊接材料提出了更高...

2025-02-27 標簽：功率器件半導體封裝回流焊 2.4k 0

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標簽：半導體功率器件氮化鎵 1.1k 0

具有集成驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設計

德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族，該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝，封裝尺寸為12毫米x12毫米...

2025-02-25 標簽：ti 功率器件 GaN 970 0

應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)

德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...

2025-02-25 標簽：驅(qū)動器封裝功率器件 1.3k 0

技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器

UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動器，適用于標準和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...

2025-02-24 標簽：MOSFET 整流器功率器件 1.8k 0

超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性

#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。...

2025-02-20 標簽：MOS 功率器件電源管理芯片 1.3k 0

垂直氮化鎵器件的最新進展和可靠性挑戰(zhàn)

過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，...

2025-02-17 標簽：晶體管功率器件氮化鎵 2.3k 0

新潔能車規(guī)級PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設計的重要方向。車規(guī)級 PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品，以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...

2025-02-12 標簽：MOSFET 封裝功率器件 3.9k 0

華大九天Empyrean Polas工具解決功率設計難題

華大九天推出的Empyrean Polas工具，憑借其先進的3D場求解器提取算法，成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸，特別是在處理PMIC設計中的電源...

2025-02-08 標簽：MOS管功率器件華大九天 2.7k 0

意法半導體新能源功率器件解決方案

在《意法半導體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家...

2025-02-07 標簽：MOSFET 意法半導體功率器件 1.9k 0

TOLL封裝功率器件的優(yōu)勢

隨著半導體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來越高，器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導致的失效占了總失效的一半以上，而通過封裝技術(shù)升級，是提高器件散...

2025-01-23 標簽：半導體控制器封裝 2.2k 0

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。但是SIC MOS和Si IGBT的器件...

2025-01-21 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 2.9k 0

功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低...

2025-01-20 標簽：驅(qū)動器功率器件熱設計 2.1k 0

功率器件是什么意思

功率器件，作為現(xiàn)代電子設備和系統(tǒng)中的核心組件，扮演著至關重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓，還廣泛應用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動汽車、通...

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碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至...

2025-02-03 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.6k 0

功率器件熱設計基礎知識

功率器件熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

2025-02-03 標簽：IGBT 功率器件碳化硅 1.6k 0

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