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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 6.5k 0

mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是電子工...

2024-10-06 標簽：MOSFET 電壓場效應(yīng)晶體管 1.1萬 0

CoolGaN和增強型GaN區(qū)別是什么

CoolGaN和增強型GaN（通常指的是增強型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來說，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

2024-09-07 標簽：晶體管功率器件 GaN 2.2k 0

如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

由于對提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中，高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...

2024-09-03 標簽：芯片功率器件功率模塊 1.9k 0

芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

2024-08-21 標簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN 1.9k 0

探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而，要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢，其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...

2024-08-19 標簽：電感驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 1.2k 0

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機理

雪崩耐量是功率器件性能評估的關(guān)鍵指標，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收...

2024-08-15 標簽：MOSFET 雪崩擊穿功率器件 5.9k 0

推挽式開關(guān)電源的優(yōu)勢及工作原理

推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓撲結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中，MOS管是核心的功率器件之一，其性能直接影響到整個電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...

2024-08-15 標簽：電子設(shè)備功率器件電源拓撲 3.3k 0

DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用

派恩杰半導(dǎo)體，中國第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌，主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲能、白色家電、...

2024-08-12 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 3.8k 0

功率器件功率循環(huán)測試原理詳解

功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），在新能源、軌道交通、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電...

2024-08-12 標簽：半導(dǎo)體封裝功率器件 5k 0

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

IGBT，全稱絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT），是一種功率開關(guān)元件，綜合了電力晶體管（Gi...

2024-08-09 標簽：IGBT 焊接功率器件 4.4k 0

pwm變換器驅(qū)動電路的特點有哪些

PWM變換器驅(qū)動電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù)，它通過調(diào)節(jié)脈沖寬度來控制功率器件的開關(guān)狀態(tài)，從而實現(xiàn)對輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...

2024-08-08 標簽：驅(qū)動電路功率器件輸出信號 2.2k 0

igbt功率管寄生電容怎么測量大小

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的...

2024-08-07 標簽：IGBT 功率器件功率管 3.3k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.2k 0

焊機IGBT炸管后怎樣維修

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件，廣泛應(yīng)用于焊機、變頻...

2024-08-07 標簽：IGBT 功率器件雙極晶體管 8.2k 0

大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計方案

隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展，對大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域，需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而，由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場...

2024-08-01 標簽：MOSFET 安森美 IGBT 3.4k 0

MOSFET超過耐壓值的原因、影響及檢測方法

在電子電路設(shè)計中，MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率器件，具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動功耗等優(yōu)點。然而，如果MOSFE...

2024-08-01 標簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管功率器件 2.9k 0

mos管耐壓是如何測試

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件，其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測試的重要性 MOSFE...

2024-08-01 標簽：MOS管場效應(yīng)晶體管功率器件 5.4k 0

igbt柵極電阻太小會怎么樣

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件，其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過小，可能會對...

2024-07-25 標簽：IGBT 參數(shù)功率器件 2.4k 0

三菱電機功率器件發(fā)展史

三菱電機從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標簽：MOSFET 三菱電機功率器件 2k 0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
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OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標準化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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