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功率模塊

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功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊，功率模塊的作用用很多，比如：空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分，那作用就是做放大的。如果是在電源，就是做穩(wěn)壓的。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 功率模塊選型

功率模塊技術(shù)

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英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊（1200V/400A），針對(duì)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽...

2025-02-20 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 功率模塊 3.5k 1

三菱電機(jī)工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部...

2025-01-22 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 3.3k 0

三菱電機(jī)超小型全SiC DIPIPM解析

在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。

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安森美兩大最新功率模塊系列解讀

安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31IPM，QDual3。值得注意的是，背后都提到采用了...

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功率模塊封裝工藝

功率模塊封裝工藝典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為三種形式，每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這三種封裝工藝的詳細(xì)概述及分點(diǎn)說(shuō)明：常見(jiàn)功...

2024-12-06 標(biāo)簽：封裝功率模塊 3.6k 0

功率模塊封裝工藝有哪些

本文介紹了有哪些功率模塊封裝工藝。功率模塊封裝工藝典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為三種形式，每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這三種封...

2024-12-02 標(biāo)簽：封裝功率模塊 IPM 2.8k 0

解析安森美的新款高功率QDual3技術(shù)

全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型，尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無(wú)論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV)，都在轉(zhuǎn)向電動(dòng)驅(qū)動(dòng)。國(guó)際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...

2024-11-15 標(biāo)簽：太陽(yáng)能安森美逆變器 1.1k 1

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了...

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功率模塊中的結(jié)溫估算技術(shù)

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基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

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2024-10-16 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 2.3k 0

如何通過(guò)創(chuàng)新的參數(shù)識(shí)別(PI)方法優(yōu)化功率模塊性能？

在最近舉行的PCIMEurope2024會(huì)議上，介紹了一種通過(guò)在高壓門(mén)驅(qū)動(dòng)器中實(shí)施參數(shù)識(shí)別(PI)模式來(lái)優(yōu)化功率模塊性能的新方法。將參數(shù)識(shí)別功能集成到門(mén)...

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如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

由于對(duì)提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中，高溫和溫度波動(dòng)限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...

2024-09-03 標(biāo)簽：芯片功率器件功率模塊 1.9k 0

終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，集成功率模塊(IPM，IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能，廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

2024-08-09 標(biāo)簽：功率模塊 IPM 碳化硅 6.7k 0

功率模塊與功率集成電路的區(qū)別

功率模塊（Power Module）與功率集成電路（Power Integrated Circuit, PIC）在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們?cè)诮Y(jié)...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶體管功率模塊功率集成電路 3k 0

功率模塊的作用和工作原理

功率模塊（Power Module）在電力電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，它是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、功率放大、電源控制及保護(hù)等功能的關(guān)鍵組件。

2024-08-08 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動(dòng)電路功率模塊 1.2萬(wàn) 0

功率模塊和IGBT有什么區(qū)別

功率模塊（Power Module）和IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）在電力電子領(lǐng)域都...

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功率模塊中的激光焊接技術(shù)簡(jiǎn)介

隨著我國(guó)新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，功率模塊作為新能源汽車的能量轉(zhuǎn)換的重要裝置，其重要性不言而喻，并且功率模塊也在朝著耐高壓、耐大電流、高功率密度和高可靠性的...

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影響IGBT功率模塊散熱的因素

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問(wèn)題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問(wèn)題的詳...

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基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車...

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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