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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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加速新賽道固態(tài)半導(dǎo)體器件破繭而出—LED芯片技術(shù)
近年來,由于我國宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長、國家產(chǎn)業(yè)政策的扶持以及LED技術(shù)的不斷突破;國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,并已形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈。
2023-07-14 標(biāo)簽:發(fā)光二極管LED技術(shù)LED芯片 1.7k 0
航天級(jí)IC助推詹姆斯·韋伯太空望遠(yuǎn)鏡深入探索宇宙奧秘
NASA發(fā)布了使用其超大超強(qiáng)太空望遠(yuǎn)鏡以空前分辨率和靈敏度觀測(cè)宇宙時(shí)拍攝的首批圖像。
2023-07-12 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器望遠(yuǎn)鏡半導(dǎo)體器件 1.2k 0
JEDEC 制定的 JEP 95 《 JEDEC 注冊(cè)外形圖》標(biāo)淮與 IEC SC47D 發(fā)布的標(biāo)淮異曲同工,只不過其外形標(biāo)淮是由其會(huì)員公司提出的。
2023-06-30 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 2.8k 0
國際上對(duì)封裝外形標(biāo)淮化工作開展得較早,一般采用標(biāo)淮增補(bǔ)單或外死注冊(cè)形式。 IEC SC47D 發(fā)布的 IEC 60191-2《半導(dǎo)體器件封裝標(biāo)準(zhǔn) 第2部...
2023-06-30 標(biāo)簽:集成電路封裝半導(dǎo)體器件 3.7k 0
隨著當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)走向輕、薄、短、小,尤其是在手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈增長態(tài)勢(shì)。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率分立器件、電源管理IC和...
2021-09-10 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件大功率三極管 1.8k 0
貼片3904三極管_MMBT3904 絲印1AM三極管主要參數(shù)資料
3904三極管作為一種常見的低電壓、低電流信號(hào)晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一。MMBT3904 SOT-23封裝型號(hào)的應(yīng)用范圍很廣,人們家庭中的小家...
2021-11-12 標(biāo)簽:三極管晶體管半導(dǎo)體器件 6.9萬 0
極小的物體被放大幾千倍,各種物質(zhì)的豐富細(xì)節(jié)徐徐展開,人類觀察自然界的視野得到極大拓寬——這是光學(xué)顯微鏡賦予人類的“超能力”。不過,無限提高放大倍數(shù)是不可...
2023-05-22 標(biāo)簽:光學(xué)顯微鏡半導(dǎo)體器件 1.7k 0
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下,400V電壓時(shí),碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
2023-05-18 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 720 0
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰才是最有發(fā)...
2023-04-13 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件陶瓷材料 2.1k 0
該圖的縱軸是每個(gè)集成功能(半導(dǎo)體芯片)的組件(晶體管)數(shù)量。此外,由于它被寫成Log2,這表明晶體管的數(shù)量將呈指數(shù)增長。
2023-04-10 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 8.1k 0
湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢(shì)。然而,散熱問題是制約其...
2023-03-24 標(biāo)簽:氮化鎵晶格半導(dǎo)體器件 1.5k 0
淺談半導(dǎo)體裝備市場產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)和技術(shù)驅(qū)動(dòng)
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,未來數(shù)年中裝備市場的宏觀增長速度會(huì)大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場。
2023-03-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電半導(dǎo)體器件FinFET 1.1k 0
GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
中芯熱成推出光電成像芯片制備、測(cè)試及封裝服務(wù)
中芯熱成是國內(nèi)首家專注于紅外量子點(diǎn)材料成像芯片領(lǐng)域的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè),針對(duì)量子點(diǎn)、納米線、二維材料及鈣鈦礦等新型光電材料提供陣列型成像芯片制備、測(cè)試及...
2023-03-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件新材料成像芯片 3.7k 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transi...
2023-02-09 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 1.5k 0
第三代半導(dǎo)體能否引發(fā)電子芯片業(yè)的一次革新?
在這種情況下,第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進(jìn)入了大眾的視線。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度...
2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件電子芯片 2.2k 0
功率器件,也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“...
2023-02-02 標(biāo)簽:高電壓功率器件半導(dǎo)體器件 3.5k 0
CEO進(jìn)一步指出,產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識(shí)產(chǎn)權(quán)來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。
2023-01-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3k 0
SAOT系統(tǒng)主要由特制攝像機(jī)、球內(nèi)傳感器和人工智能系統(tǒng)三部分組成。世界杯期間,每座球場頂部將設(shè)置12臺(tái)特制攝像機(jī),對(duì)場上的足球和每名球員進(jìn)行追蹤,以每秒...
2022-12-20 標(biāo)簽:傳感器芯片半導(dǎo)體器件 1.8k 0
場效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時(shí),由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電場中形成空間電荷層,這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子...
2022-12-09 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體器件 3k 0
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