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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料資訊

收購(gòu)JSR對(duì)于增強(qiáng)日本競(jìng)爭(zhēng)力非常重要

松野博一表示:“個(gè)別投資的判斷由jic來(lái)做。該事業(yè)是產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的核心——尖端半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)能力的核心——半導(dǎo)體材料的核心,因此,為了加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,結(jié)...

2023-06-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料jic 1.2k 0

漲知識(shí)!半導(dǎo)體材料的分類(lèi)

漲知識(shí)!半導(dǎo)體材料的分類(lèi)

根據(jù)制造工藝分類(lèi),半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過(guò)外延生...

2023-06-27 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體材料 9k 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延...

2023-06-26 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料碳化硅 1.7k 0

SEMI:全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)最新排名,大陸第二

2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入達(dá)到727億美元。

2023-06-16 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶圓半導(dǎo)體材料 2.3k 0

KILOVAC固態(tài)功率控制器應(yīng)用最先進(jìn)技術(shù)首發(fā)登陸

KILOVAC固態(tài)功率控制器應(yīng)用最先進(jìn)技術(shù)首發(fā)登陸

隨著人類(lèi)生產(chǎn)生活科技化與信息化程度越來(lái)越高,電子信息技術(shù)在近幾十年呈現(xiàn)迅猛發(fā)展的態(tài)勢(shì),其背后的基石正是先進(jìn)半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展。目前,以碳化硅為典型代表...

2023-06-15 標(biāo)簽:控制器半導(dǎo)體材料碳化硅 1.4k 0

霍爾傳感器在汽車(chē)電子、工業(yè)控制、電力與新能源、家電及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中的應(yīng)用

霍爾傳感器在汽車(chē)電子、工業(yè)控制、電力與新能源、家電及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中的應(yīng)用

根據(jù)霍爾效應(yīng)用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對(duì)磁場(chǎng)敏感、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。因此,在測(cè)量、自動(dòng)化、計(jì)...

2023-06-01 標(biāo)簽:霍爾傳感器半導(dǎo)體材料工業(yè)控制 2.8k 0

西安光機(jī)所在太赫茲消色差超透鏡研究獲新進(jìn)展

西安光機(jī)所在太赫茲消色差超透鏡研究獲新進(jìn)展

超透鏡是一種二維平面透鏡結(jié)構(gòu),具有體積小、重量輕、易于集成等特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波振幅、相位、偏振等參量的靈活調(diào)控,有望解決天然材料在太赫茲頻段電磁響應(yīng)...

2023-05-19 標(biāo)簽:成像半導(dǎo)體材料太赫茲 1.4k 0

采用SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)的混合動(dòng)力飛機(jī),成功試飛!

采用SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)的混合動(dòng)力飛機(jī),成功試飛!

像塞斯納 337 這樣的小型飛機(jī)主要用作島嶼地區(qū)和偏遠(yuǎn)地區(qū)的短程飛機(jī),會(huì)配置兩個(gè)燃油發(fā)動(dòng)機(jī),可以執(zhí)行高要求的空中推進(jìn)和加速任務(wù),以及滑行、巡航和著陸等較...

2023-05-10 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體材料SiC 2.1k 0

特斯拉虛晃一槍?zhuān)蓟韪咚龠~進(jìn)

特斯拉虛晃一槍?zhuān)蓟韪咚龠~進(jìn)

由此可見(jiàn),華為對(duì)SiC的投資基本覆蓋了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈,這體現(xiàn)了華為對(duì)SiC的發(fā)展?jié)摿τ兄浞值男判摹T缭?021年,華為便指出,未來(lái)十年是第三代功率半導(dǎo)體的...

2023-04-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1.6k 0

特斯拉下一代平臺(tái)點(diǎn)亮碳化硅產(chǎn)業(yè)變革新方向

特斯拉下一代平臺(tái)點(diǎn)亮碳化硅產(chǎn)業(yè)變革新方向

其中,在新能源汽車(chē)領(lǐng)域,碳化硅器件主要用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC和充電樁。2017年,特斯拉率先在其Model3車(chē)型上使用碳化硅器件,以簡(jiǎn)化供電...

2023-04-24 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體材料碳化硅 1.9k 0

未來(lái)的顯示器將會(huì)長(zhǎng)啥樣?

傳統(tǒng)LCD的光源一般為L(zhǎng)ED,但是它發(fā)出的色光并不純凈。而量子點(diǎn)發(fā)出的綠光和紅光相比LED發(fā)出的光更加純凈,因此量子點(diǎn)膜的加入,可讓LCD能顯示出更加真...

2023-04-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料顯示技術(shù)量子點(diǎn) 1.9k 0

中國(guó)領(lǐng)跑第四代半導(dǎo)體材料,氧化鎵專(zhuān)利居全球首位

中國(guó)領(lǐng)跑第四代半導(dǎo)體材料,氧化鎵專(zhuān)利居全球首位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))半導(dǎo)體材料的突破一直是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一大助力,為了滿(mǎn)足日益多元化的芯片需求,半導(dǎo)體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體...

2023-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氧化鎵第四代半導(dǎo)體 9.4k 0

化工新材料的應(yīng)用有哪些

聚烯烴彈性體(POE)指α-烯烴含量大于20%的乙烯和長(zhǎng)鏈α-烯烴無(wú)規(guī)共聚物,POE的特殊結(jié)構(gòu)賦予其良好的彈性、熱塑性和透明性等特點(diǎn),可作為輕量化抗沖擊...

2023-03-29 標(biāo)簽:碳纖維半導(dǎo)體材料新材料 3.5k 0

被卡脖子的半導(dǎo)體材料(萬(wàn)字深度報(bào)告)

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2020年全球晶圓制造材料中,硅片占比最高,為35%;電子氣體排名第2,占比13%;掩膜版排名第3,占比12%,光刻膠占比6%;光刻膠...

2023-03-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料晶圓制造 8.8k 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料,相對(duì)硅而言,氮化鎵間隙更寬,導(dǎo)電性更好,將普通充電器替換為氮化鎵充電器,充電的效率更高。

2023-02-14 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 1.0萬(wàn) 0

2022年中國(guó)膜材產(chǎn)業(yè)投資總額超千億規(guī)模,電池隔離膜占主導(dǎo)

在全球面板產(chǎn)能向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移的大背景下,考慮到供應(yīng)鏈經(jīng)濟(jì)性及安全性,光學(xué)膜作為顯示面板產(chǎn)業(yè)鏈中的重要原材料,其國(guó)產(chǎn)替代已成趨勢(shì)。光學(xué)膜位于顯示面板產(chǎn)業(yè)鏈...

2023-02-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料電池隔離 1.9k 0

氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...

2023-02-07 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.6k 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 3.3k 0

第三代半導(dǎo)體能否引發(fā)電子芯片業(yè)的一次革新?

在這種情況下,第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進(jìn)入了大眾的視線(xiàn)。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度...

2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件電子芯片 2.2k 0

第三代半導(dǎo)體能否引領(lǐng)電子芯片業(yè)的一次革新?

在這種情況下,第三代化合物半導(dǎo)體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進(jìn)入了大眾的視線(xiàn)。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料因其在禁帶寬度...

2023-02-01 標(biāo)簽:新能源半導(dǎo)體材料 1.6k 0

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