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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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半導(dǎo)體封測(cè)主流技術(shù)及發(fā)展方向分析
近幾年,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)維持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),增長(zhǎng)率超過(guò)了20%;IC設(shè)計(jì)、封測(cè)、晶圓制造以及功率器件是為4大推動(dòng)主力。 其中,封測(cè)行業(yè)在過(guò)去十多年中,因...
2018年12月6日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出瑞昱半導(dǎo)體(Realtek)車用以太網(wǎng)解決方案。 大...
華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在(100)硅上開發(fā)了基于氮化鎵(GaN)微絲陣列的紫外(UV)金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬(MSM)探測(cè)器。
鈦酸鋰復(fù)合二氧化鈦染料敏化太陽(yáng)能電池的性能研究
TiO2薄膜的禁帶寬度為3.23eV。Li4Ti5O12薄膜的禁帶寬度為3.54eV,復(fù)合薄膜的禁帶寬度為3.36eV。相比較而言,復(fù)合薄膜的總體光電轉(zhuǎn)...
超分辨光刻裝備落地,可實(shí)現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)
國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對(duì)進(jìn)口依賴非常高,特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片,國(guó)內(nèi)的技術(shù)落后,還不能完全國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的,很多人都知...
更便捷生產(chǎn)工藝霍爾開關(guān)芯片-M7101
當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢(shì)U,其表達(dá)式為U=K...
2018-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)霍爾開關(guān) 5.4k 0
壓力變送器感受壓力的電器元件一般為電阻應(yīng)變片,電阻應(yīng)變片是一種將被測(cè)件上的壓力轉(zhuǎn)換成為一種電信號(hào)的敏感器件。電阻應(yīng)變片應(yīng)用最多的是金屬電阻應(yīng)變片和半導(dǎo)體...
2018-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體壓力變送器電阻應(yīng)變片 3.9k 0
第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)
第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP),以及三元化合物半導(dǎo)體材料,如鋁砷化鎵(GaAsAl)、...
5G帶來(lái)廣闊前景的同時(shí),也使得測(cè)試日益復(fù)雜化。必須開發(fā)新的技術(shù)來(lái)測(cè)試5G設(shè)備。需要成本更低的空口測(cè)試技術(shù)。
過(guò)去十年,是集成電路產(chǎn)業(yè)最好的時(shí)光。在智能手機(jī)的量大、替換周期短的推動(dòng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有了爆發(fā)性的增長(zhǎng),也冒出來(lái)了很多新公司,尤其是中國(guó)大陸,在這波潮流的...
可能很多人看過(guò)很多資料,可還是不是太了解集成電路,說(shuō)到集成,那么可能大家會(huì)問,到底是什么集成的?什么又是電路呢?小編和大家一起科普一下集成電路是啥?說(shuō)的...
目前,國(guó)內(nèi)外碳化硅功率電子分立器件商業(yè)化產(chǎn)品主要有功率二極管和SiC MOSFET。SiC功率二極管分為肖特基二極管(SBD)、PIN二極管和結(jié)勢(shì)壘控制...
華為旗下海思半導(dǎo)體自行開發(fā)的新一代7納米麒麟980系統(tǒng)單芯片
從ChipRebel公布的麒麟980剖面圖,可見左上角部分是配制全新Mali G76MP10 GPU,右上角則是主要CPU配置區(qū),此區(qū)可見海思首次導(dǎo)入的...
深入關(guān)鍵行業(yè)領(lǐng)域,具體對(duì)比中美科技實(shí)力
半導(dǎo)體可以分為分立器件、光電子、傳感器、集成電路,其中集成電路占比最高,占到2016年全球半導(dǎo)體銷售金額的81.6%。中國(guó)目前已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體與...
如何通過(guò)調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓,來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
2018年國(guó)內(nèi)十大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)有那些詳細(xì)介紹
10月23日晚,國(guó)內(nèi)一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)芯謀研究(ICwise)發(fā)布了《2018上半年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告》,其中包含了一份“2018年國(guó)內(nèi)十...
本視頻主要介紹了半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備,分別有橢偏儀、四探針、熱波系統(tǒng)、相干探測(cè)顯微鏡、光學(xué)顯微鏡以及掃描電子顯微鏡。
2018-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體測(cè)試 2.8萬(wàn) 0
如何針對(duì)特定設(shè)計(jì)選擇正確的MOSFET
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
芯片巨頭格羅方德放棄7納米技術(shù)研究中芯會(huì)進(jìn)入7納米的研究中嗎
著名的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司Global Foundries宣布,將放棄未來(lái)7納米技術(shù)的研發(fā),這意味著未來(lái)參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠...
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