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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性,...
CMOS型LDO(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Low Dropout Regulator)是一種利用...
PIN二極管,作為一種特殊的半導(dǎo)體器件,在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。其獨(dú)特的P-I-N結(jié)構(gòu)(即P型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層I和N型半導(dǎo)體層)賦予了它優(yōu)異的電...
PIN二極管,即P-I-N二極管,其電導(dǎo)調(diào)制原理是基于半導(dǎo)體的PN結(jié)特性和耗盡區(qū)的動(dòng)態(tài)變化。在深入解析PIN二極管的電導(dǎo)調(diào)制原理之前,我們先簡(jiǎn)要回顧其結(jié)...
PiN二極管(P-I-N Diode)和SiC二極管(Silicon Carbide Diode)在多個(gè)方面存在顯著差異,這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工...
PiN二極管,即P-I-N二極管,是一種特殊的半導(dǎo)體器件,由P型半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體(I型,即未摻雜的半導(dǎo)體)和N型半導(dǎo)體三個(gè)部分組成。這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)賦予...
功率二極管(Power Diode)是一種具有特殊設(shè)計(jì)的分立式電力半導(dǎo)體器件,其電壓和電流應(yīng)用范圍遠(yuǎn)超一般的小信號(hào)二極管。它在電力電子和電路設(shè)計(jì)中扮演著...
SiC二極管,即碳化硅二極管,作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一,其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡述SiC二極管的工作原理和...
探針式電子溫度計(jì)是一種高精度的溫度測(cè)量工具,廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)、醫(yī)療、科研和日常生活中,以確保溫度的精確控制和監(jiān)測(cè)。這種溫度計(jì)通過一個(gè)或多個(gè)探針來接觸被...
基于AC驅(qū)動(dòng)的電容結(jié)構(gòu)GaN LED模型開發(fā)和應(yīng)用
隨著芯片尺寸減小,微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動(dòng)高密度集成的難題,傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動(dòng)技術(shù)會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫上升,降低器件壽命。
上海2024年9月5日?/美通社/ -- 全球半導(dǎo)體行業(yè)正處于爆炸性增長(zhǎng)的軌道上,預(yù)計(jì)到2030年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到驚人的1萬億美元(2023年超過5000...
計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別
計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的重要部分,用于存放程序和數(shù)據(jù)。隨著科技的進(jìn)步,存儲(chǔ)器的種類越來越多,功能和性能也日益豐富。一般來說,計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器可以...
2024-09-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 6.1k 0
將基于模型設(shè)計(jì)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的研發(fā)
1965 年,英特爾(Intel)聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)提出一個(gè)預(yù)測(cè):集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?,而成本則保...
2024-09-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體控制系統(tǒng)模型 1.3k 0
提升高功率半導(dǎo)體可靠性——使用Simcenter通過工業(yè)級(jí)熱表征加速測(cè)試和故障診斷
內(nèi)容摘要消費(fèi)和工業(yè)電子系統(tǒng)的能源需求都在增加。因此,電子電力元器件供應(yīng)商和原始設(shè)備制造商(OEM)面臨著提供航空、電動(dòng)汽車、火車、發(fā)電和可再生能源生產(chǎn)所...
薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯...
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