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單晶硅+關(guān)注7人關(guān)注

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　　半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、砷化鎵和硫化鎘都是半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體材料的電阻率隨著溫度升高和輻射強(qiáng)度的增大而減小，在半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì)，對(duì)其導(dǎo)電性有決定性影響，這是半導(dǎo)體材料的重要特性。硅是最常見(jiàn)應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成晶核，其晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，形成單晶硅。