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標(biāo)簽 > 雙極晶體管
雙極晶體管一般指雙極型晶體管。由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。
雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。同場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度慢，輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長(zhǎng)、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。
探索 onsemi NST1602CL 雙極晶體管：高性能與可靠性的完美結(jié)合
在電子工程師的世界里，選擇合適的晶體管對(duì)于電路設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NST1602CL 雙極晶體管，這款器件以其卓...
深入解析onsemi FGY75T120SWD IGBT：高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的功率器件對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FGY75T120SWD ...
探索 onsemi FGHL40T120RWD IGBT：高效與可靠的完美融合
在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率器件對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FGHL40T120RWD...
?MJD31C/MJD32C系列雙極功率晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備，專為通用放大器和低速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此系列互補(bǔ)功率晶體管采用環(huán)氧樹脂，符合UL 94 V-...
NSVT5551M雙極晶體管技術(shù)深度解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管...
AFGB30T65RQDN IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）可為汽車應(yīng)用提供最佳性能。 該IGBT具有大電流能力、快速開關(guān)、高輸...
LF247 36V、低輸入電流、高擺率、JFET四運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)
LF247是高速 J-FET 輸入四通道運(yùn)算放大器，在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 J-FET 和雙極晶體管。
2025-03-31 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器四通道雙極晶體管 1.3k 0
RIGOL IGBT雙脈沖測(cè)試應(yīng)用案例介紹
功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷?、電流、頻率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性，實(shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類較多，根據(jù)可控性...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)谠S多應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 工作原理 IGB...
2024-08-07 標(biāo)簽：MOS半導(dǎo)體材料雙極晶體管 1.9k 0
“晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電...
BC847CE6327HTSA1產(chǎn)品詳細(xì)信息BC847CE6327HTSA1小信號(hào)NPN晶體管，InfineonBC847CE6327HTSA1雙極晶體...
近年全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能增長(zhǎng)情況，依中國(guó)與國(guó)際業(yè)者分為兩個(gè)階段，2021~2023年由中國(guó)業(yè)者主導(dǎo)，在IGBT芯片自給率低，急需國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)下。
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?；酒骷?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET（在通過(guò) ...
雙極結(jié)型晶體管(BJT或雙極型晶體管，通常稱為三極管)是一種晶體管，其原理取決于兩個(gè)半導(dǎo)體之間的接觸。 BJT可用于放大器電路，開關(guān)電路或振蕩電路。 B...
mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MO...
2022-05-11 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管雙極晶體管 4.7k 0
在設(shè)計(jì)或修理電子設(shè)備時(shí)，有時(shí)真的需要尋找雙極晶體管（BJT）的替代品。在查閱這些BJT數(shù)據(jù)手冊(cè)里的諸多參數(shù)時(shí)，你或許會(huì)感到不知從何下手。在尋找合適的BJ...
晶體管的代表形狀 晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類 1. 按結(jié)構(gòu)分類 根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。 雙極晶體管 雙是指Bi（2...
華北集成電路設(shè)計(jì)有限公司專業(yè)從事微波毫米波單片集成電路和大規(guī)模射頻/數(shù)字集成電路的研發(fā)，生產(chǎn)和應(yīng)用。經(jīng)過(guò)10余年發(fā)展，公司已形成了一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)和生...
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