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器件技術

MAX22000工業(yè)可配置模擬I/O技術手冊

MAX22000是一款工業(yè)級可配置模擬輸入/輸出器件，可在軟件中即時配置為電壓輸入或輸出，或電流輸入或輸出。提供用于測量其他模擬信號的額外輸入。 ...

2025-05-21 標簽：工業(yè)器件模擬輸出 936 0

MAX22007集成基準電壓源的四通道12位可配置模擬輸出器件技術手冊

MAX22007是一款可通過軟件配置的四通道模擬輸出器件，可在每個通道上提供電壓或電流輸出。對于高壓電源（HVDD = 8V至20V，HVSS = -2...

2025-06-01 標簽：電壓源器件模擬輸出 959 0

AD74115單通道軟件可配置的輸入和輸出技術手冊

AD74115是一款單通道、軟件可配置輸入和輸出器件，適用于工業(yè)控制應用。AD74115提供各種單芯片集成用例。這些用例包括模擬輸出、模擬輸入、數(shù)字輸出...

2025-06-01 標簽：輸出 SPI 器件 1.1k 0

功率循環(huán)測試設備Simcenter powertester的優(yōu)勢有哪些？

引言PowerTester功率循環(huán)測試設備可以用于幫助客戶加速完成封裝結(jié)構研發(fā)、可靠性測試以及可靠性篩選等工作。作為大功率半導體器件瞬態(tài)測試和功率循環(huán)測...

2025-05-19 標簽：器件測試設備功率循環(huán)測試 1.2k 0

技術資訊 | 選擇性 BGA 焊膏的可靠性

隨著時間的推移，采用BGA封裝的器件密度不斷提高，焊球數(shù)量也越來越多。由于器件之間的間距較小，焊球數(shù)量龐大且間距縮小，如今即使是一些簡單的器件，也需要采...

2025-05-10 標簽：BGA 器件焊膏 1k 0

高效率二極管的特性鑒別有哪些？（附應用選型指南）

高效率二極管通過優(yōu)化載流子傳輸機制，在電源管理和電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中展現(xiàn)出兩大核心優(yōu)勢：正向?qū)〒p耗降低35%-60%，動態(tài)響應速度提升至納秒級別。

2025-04-19 標簽：二極管器件快速開關二極管 775 0

器件基礎知識——電容

一、認識電容1、儲能能力電容是電抗元件，其儲存的能量稱為靜電能，理想情況下它自身不消耗能量，E為電感儲存的能量，C為電容量，V為電容兩端電壓2、電容電壓...

2025-03-28 標簽：電容器件電容電壓 3.5k 0

埋入式器件的場景和用法

被動元件埋入被動元件埋入技術是PCB設計中最常見的埋入式應用。這種技術主要將電阻、電容和電感等無源器件直接集成到PCB內(nèi)層中,可以顯著減少PCB的表面積...

2025-02-05 標簽：芯片 PCB設計器件 1.2k 0

從Level1 Model到Level3 Modle來感受器件模型是如何開發(fā)的

? ? ? ?本文從Level1 model到Level3 model的Ids電流公式的發(fā)展來感受Compact器件模型是如何開發(fā)的。 MOS技術擴展到...

2025-01-03 標簽：建模 Compact 器件 2.5k 0

OE ST的使用說明

引言：在我們使用有源振蕩器的時候，你是否注意到器件有一個特殊的引腳呢？通常這個引腳被廠家定位在第1-pin，該引腳被賦予了使能（OE）或待機（/ST）的...

2024-10-21 標簽：振蕩器引腳器件 1.1k 0

如何在Altium Designer中快速定位器件

想知道如何在Altium Designer中快速定位器件嘛？

2024-10-12 標簽：原理圖 WINDOWS 器件 2.0萬 0

MOSFET器件參數(shù)：TJ、TA、TC到底講啥？

我將分享關于MOSFET中幾個關鍵溫度參數(shù)的計算方法：TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性在電力電子應

2024-08-30 標簽：MOSFET 熱阻器件 7.5k 0

穩(wěn)壓二極管整流器件主要參數(shù)及影響因素

穩(wěn)壓二極管是一種廣泛應用于電子電路中的器件，具有穩(wěn)定電壓的作用。它的主要參數(shù)和影響因素直接決定了其在實際應用中的性能和適用范圍。1.穩(wěn)壓電壓（Vz）穩(wěn)壓...

2024-08-08 標簽：二極管穩(wěn)壓二極管整流 1.9k 0

555定時器能改進成哪些器件

555定時器是一種廣泛使用的集成電路，它具有多種功能，如產(chǎn)生精確的時間延遲、振蕩器、脈沖調(diào)制器等。然而，隨著電子技術的發(fā)展，一些新型的器件和方法已經(jīng)出現(xiàn)...

2024-07-17 標簽：集成電路振蕩器器件 1.3k 0

GaN MOSFET 器件結(jié)構及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關速度等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...

2024-07-14 標簽：MOSFET GaN 金屬 4.7k 0

SiC功率器件性能和可靠性的提升

在電力電子領域，碳化硅(SiC)技術對于推動向電動移動性的轉(zhuǎn)變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關重要。隨著市場需求的增加，功率半導體公司面臨著迅速擴大生產(chǎn)能...

2024-07-04 標簽：功率器件 SiC 器件 2.8k 0

Heric電路原理與器件選型

非隔離型單相并網(wǎng)逆變器由于其體積小效率高等特點廣泛應用于小功率光伏發(fā)電系統(tǒng)（2-10kW），但由于并網(wǎng)系統(tǒng)不含變壓器且光伏電池板等對地存在多處分布電容，...

2024-07-03 標簽：逆變器器件泄漏電流 2.8k 0

全鈣鈦礦、鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池技術解析

近年來，鈣鈦礦疊層太陽能電池技術發(fā)展迅速，電池效率已突破30%，因其由兩個具有不同帶隙吸收體的電池組成，通過差異化吸收更寬范圍波長的太陽光，降低光熱損失...

2024-03-14 標簽：太陽能電池器件檢測儀器 9.2k 0

mos管的工作原理及特性是什么

MOS管，全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一...

2024-01-18 標簽：MOS管晶體管器件 2.4k 0

碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導體有什么有缺點

碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導體（Si）是兩種常見的半導體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而，碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導體具有一定的優(yōu)缺點。優(yōu)點...

2024-01-10 標簽：半導體材料器件碳化硅 4.3k 0

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