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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

單層GaSe中電荷轉(zhuǎn)移的理論研究

在這項研究中，使用機械剝離和分子束外延（MBE）技術(shù)制備了少層 γ-GaSe。通過對 X 射線光電子能譜（XPS）、X 射線衍射（XRD）、拉曼光譜和二...

2023-06-25 標(biāo)簽：存儲器場效應(yīng)晶體管 3k 0

MOS的寄生模型

引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮...

2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET MOS管場效應(yīng)晶體管 2.6k 0

基于Cr2C的面內(nèi)雙勢壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

然而，關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報道很少。已報道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2/Mn2CF2，其TMR的峰值約為106。面內(nèi)MTJ...

2023-06-01 標(biāo)簽：納米場效應(yīng)晶體管磁性材料 1.9k 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測試（1）

MOSFET又叫場效應(yīng)晶體管，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對標(biāo)三極管來學(xué)。我們說，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。

2023-05-26 標(biāo)簽：三極管 MOSFET NMOS 7k 0

11GHz ~ 20GHz HMC554ALC3BTR混頻器概述

HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無引線RoHS兼容無引線芯片載體（LCC）中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。

2023-05-26 標(biāo)簽：變頻器混頻器場效應(yīng)晶體管 1.9k 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 2.2k 0

單向晶閘管的檢測

正常時陽值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應(yīng)晶體管的R和R的檢測

2023-05-24 標(biāo)簽：晶閘管場效應(yīng)晶體管 VMOS管 807 0

場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)...

2023-05-17 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 1.0萬 0

場效應(yīng)晶體管的作用

場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與...

2023-05-16 標(biāo)簽：晶體管場效應(yīng)晶體管雙極型 3.5k 0

場效應(yīng)晶體管的分類

場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電...

2023-05-16 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 3.6k 0

場效應(yīng)晶體管工作原理

場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場...

2023-05-16 標(biāo)簽：晶體管場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體器件 2.4k 0

看懂低壓降穩(wěn)壓器(LDO)一篇就夠了

電源管理是電子系統(tǒng)中的的一個基本模塊。智能手機、電腦和我們所熟知的絕大多數(shù)電子產(chǎn)品都需要這個模塊去實現(xiàn)本身的功能。

2023-05-15 標(biāo)簽：電容器電源管理 ldo 4.4k 0

Xilinx 7系列FPGA高性能接口與2.5V/3.3V外設(shè)IO接口設(shè)計

Xilinx 7系列FPGA IO Bank分為HP Bank和HR Bank，HP IO接口電壓范圍為1.2V~1.8V，可以實現(xiàn)高性能，HR IO接...

2023-05-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電阻器 FPGA設(shè)計 6.6k 0

淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進一步提高了總導(dǎo)通電阻。

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 導(dǎo)通電阻 4.7k 0

絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個器件的特性。

2023-04-24 標(biāo)簽：IGBT MOS 場效應(yīng)晶體管 4.1k 0

摩爾定律下一個10年的關(guān)鍵之3D堆疊技術(shù)

隨著傳統(tǒng)平面晶體管的尺寸縮小，器件物理學(xué)家稱為短溝道效應(yīng)的器件占據(jù)了中心位置。總的來說，由于源極和漏極之間的距離變得非常小，電流會在不應(yīng)該泄漏的時候漏過...

2023-03-22 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 1.2k 0

晶體管的誕生史

基于他對理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻和他發(fā)明的結(jié)型晶體管，肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎，以表彰“半...

2023-03-15 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 晶體管 2.5k 0

場效應(yīng)管的作用

　　場效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場效應(yīng)管的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場...

2023-02-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)管晶體管 5.7k 0

五極管接成三極管的三種方法

五極管（又稱場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET）和三極管是兩種不同的半導(dǎo)體器件，它們的接法和特性曲線也有很大的差異。

2023-02-25 標(biāo)簽：三極管五極管 FET 4.5k 0

開關(guān)電源中場效應(yīng)管的作用解析

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFE...

2023-02-25 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管晶體管 5.5k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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場效應(yīng)晶體管

場效應(yīng)晶體管技術(shù)

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