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場效應晶體管

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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。

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場效應晶體管技術

場效應管的工作原理、放大電路及作用

　　場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管(junction FET—J...

2023-02-24 標簽：放大電路場效應管晶體管 1.8萬 0

晶體管如何利用“0”和“1”處理數(shù)據(jù)？

場效應晶體管的同樣有三個極，分別為源極（Source）、柵極（Gate 也叫閘極）和漏極（Drain）。通過在柵極和源極之間施加電壓就能改變源極和漏極之...

2023-02-16 標簽：晶體管場效應晶體管 3.8k 0

EDA探索之新型垂直互補場效應晶體管（CFET）結構設計

集成電路密度的提升是一個業(yè)界持續(xù)追求的方向，也是“集成”的含義所在。提升集成電路器件密度有多種方式，其中降低器件的單位面積是最根本也是最有效的途徑。

2023-02-16 標簽：集成電路振蕩器場效應晶體管 1.9k 0

選用MOS管還是三極管？

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。

2023-02-16 標簽：三極管場效應管 MOS管 1.7k 0

結型場效應管的結構及工作原理

在PN結施加反向電壓，耗盡層會逐漸變寬，通過改變耗盡層寬度來對導電通道進行控制。

2023-02-13 標簽：半導體場效應管場效應晶體管 9k 0

MOS管的原理是什么？它是如何起作用的？

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導體（semiconductor）場效應晶體管。

2023-02-12 標簽：場效應管 MOS管晶體管 1.7k 0

低溫傳輸測量證明了高質量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預期特征。在圖1b中，四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎混合室溫度為40 mK時使...

2023-02-10 標簽：場效應晶體管石墨烯晶格 1.9k 0

結型場效應管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點

結型場效應晶體管，簡稱JFET，已被廣泛用于電子電路中。結型場效應管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開關電路的各種電子電路中。

2023-02-09 標簽：JFET 場效應晶體管 jfet器件 3.2萬 0

淺析動態(tài)隨機存儲器DRAM集成工藝

在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。

2023-02-08 標簽：電容器 DRAM 存儲器 1.5k 0

如何應用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅動器可減小解決方案尺寸，實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標簽：場效應晶體管氮化鎵 GaN 1.2k 0

FET與BJT的比較 FET的分類介紹

　　FET的全稱是場效應晶體管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，F(xiàn)ET的核心工作原理是：通過在半導體上施加一個電場來改變...

2023-02-03 標簽：MOSFET 晶體管 FET 8.1k 0

鰭式場效應晶體管工藝流程（FinFET）

首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側墻；

2023-01-31 標簽：晶體管場效應晶體管 FinFET 5.3k 0

平面互補場效應晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質層（ILD）后，插入工序以形成高k介質和金屬柵疊層，即在化學機械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標簽：CMOS 多晶硅晶體管 4k 0

關于模擬電路的40個實用小常識

穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。

2023-01-09 標簽：pcb 模擬電路穩(wěn)壓二極管 762 1

柵氧化層和多晶硅柵工藝示意圖解析

當核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經(jīng)生長晶體管后，沉積多晶硅層（Poly-Si）和硬掩模層（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉積柵疊層(Cate-Sta...

2022-12-08 標簽：CMOS 晶體管場效應晶體管 9.2k 1

智能化與電動化雙輪驅動，汽車MOSFET大有可為

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無疑成為了最重要...

2022-11-30 標簽：MOSFET 場效應晶體管功率半導體 1.3k 0

場效應晶體管放大電路詳解

場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路，場效應晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大...

2022-11-30 標簽：放大電路 MOS管場效應晶體管 5.2k 0

第一個晶體管的誕生你知道嗎

雙極結型晶體管使用幾乎相同的原理實現(xiàn)放大，但具有兩個半導體界面或結，而不是一個。與點接觸晶體管一樣，施加的電壓克服勢壘并使電流流動，該電流由較小的輸入電流調制。

2022-11-22 標簽：三極管晶體管場效應晶體管 4.5k 0

IGBT模塊參數(shù)詳解車用IGBT模塊可靠性

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是由雙極結型晶體管（BJT）和金屬-氧化物半導體場效應晶體管（...

2022-11-16 標簽：IGBT 場效應晶體管雙極結型晶體管 994 0

一種用于實時檢測溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器

這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅（Si）襯底以及覆蓋其上的二氧化硅（SiO2）介電層組成的p型硅片（Si/SiO2）制備。

2022-11-10 標簽：FET 場效應晶體管生物傳感器 1.1k 0

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