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      標(biāo)簽　>　場效應(yīng)管

      場效應(yīng)管

      場效應(yīng)管

      +關(guān)注48人關(guān)注

      場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。

      文章：980個 瀏覽：71519次 帖子：264個

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      2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管SiC 6.4k 0

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      數(shù)字電路是利用電源電壓的高電平和低電平分別表示1和0，進(jìn)而實現(xiàn)信息的表達(dá)。

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      2023-06-14 標(biāo)簽：三極管MOSFET半導(dǎo)體 1.4k 0

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      2023-06-11 標(biāo)簽：CMOS多晶硅場效應(yīng)管 2.7k 0

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      2023-06-10 標(biāo)簽：二極管場效應(yīng)管電路設(shè)計 2.6k 0

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      2023-06-10 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 2k 0

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      功率場效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET。

      2023-06-09 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管可控硅 5.1k 0

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      其輸出的效果圖如上圖所示，可能細(xì)心的人會發(fā)現(xiàn)，當(dāng)輸入信號的高電平低于電源電壓時，這意味著上N管的CE節(jié)將會承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險。

      2023-06-08 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管推挽電路 1.8萬 0

      絕緣柵場效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識

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      2023-06-08 標(biāo)簽：三極管MOSFET場效應(yīng)管 1.5k 0

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      在做信號控制以及驅(qū)動時，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。

      2023-06-06 標(biāo)簽：三極管原理圖場效應(yīng)管 3.1k 0

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      2023-06-06 標(biāo)簽：三極管MOSFET場效應(yīng)管 1.2k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
        做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
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        +關(guān)注
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      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
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      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
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