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標(biāo)簽 > 多諧振蕩器

多諧振蕩器

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多諧振蕩器:利用深度正反饋,通過阻容耦合使兩個(gè)電子器件交替導(dǎo)通與截止,從而自激產(chǎn)生方波輸出的振蕩器。常用作方波發(fā)生器。

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多諧振蕩器簡(jiǎn)介

  多諧振蕩器:利用深度正反饋,通過阻容耦合使兩個(gè)電子器件交替導(dǎo)通與截止,從而自激產(chǎn)生方波輸出的振蕩器。常用作方波發(fā)生器。

  多諧振蕩器是一種能產(chǎn)生矩形波的自激振蕩器,也稱矩形波發(fā)生器。在接通電源后,不需要外加脈沖就能自動(dòng)產(chǎn)生矩形脈沖!

  多諧振蕩器電路是一種矩形波產(chǎn)生電路。這種電路不需要外加觸發(fā)信號(hào),便能連續(xù)地, 周期性地自行產(chǎn)生矩形脈沖。該脈沖是由基波和多次諧波構(gòu)成,因此稱為多諧振 蕩器電路。

多諧振蕩器百科

  多諧振蕩器:利用深度正反饋,通過阻容耦合使兩個(gè)電子器件交替導(dǎo)通與截止,從而自激產(chǎn)生方波輸出的振蕩器。常用作方波發(fā)生器。

  多諧振蕩器是一種能產(chǎn)生矩形波的自激振蕩器,也稱矩形波發(fā)生器。在接通電源后,不需要外加脈沖就能自動(dòng)產(chǎn)生矩形脈沖!

  多諧振蕩器電路是一種矩形波產(chǎn)生電路。這種電路不需要外加觸發(fā)信號(hào),便能連續(xù)地, 周期性地自行產(chǎn)生矩形脈沖。該脈沖是由基波和多次諧波構(gòu)成,因此稱為多諧振 蕩器電路。

  電路結(jié)構(gòu)

  1.路圖

  

  2.把雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路的兩支電阻耦合支路改為電容耦合支路。那么電路就沒有穩(wěn) 定狀態(tài),而成為無穩(wěn)電路

  3.開機(jī):由于電路參數(shù)的微小差異,和正反饋使一支管子飽和另一支截止。出現(xiàn)一個(gè)暫 穩(wěn)態(tài)。設(shè)BG1飽和,BG2截止。

  工作原理

  正反饋: BG1飽和瞬間,VC1由+EC突變到接近于零,迫使BG2的基極電位VB2瞬間下 降到接近-EC,于是BG2可靠截止。

  2.第一個(gè)暫穩(wěn)態(tài):

  C1放電:

  C2充電:

  3.翻轉(zhuǎn):當(dāng)VB2隨著C1放電而升高到+0.5V時(shí),BG2載始導(dǎo)通,通過正反饋使BG1截 止,BG2飽和。

  正反饋:

  4.第二個(gè)暫穩(wěn)態(tài):

  C2放電:

  C1充電:

  5.不斷循環(huán)往復(fù),便形成了自激振蕩

  6.振蕩周期: T=T1+T2=0.7(RB2*C1+RB1*C2)=1.4RB*C

  7.振蕩頻率: F=1/T=0.7/RB*C

  8.。波形的改善: 可以同單穩(wěn)態(tài)電路,采用校正二極管電路

  多諧振蕩器在溫控報(bào)警電路中的應(yīng)用

  右圖是利用多諧振蕩器構(gòu)成的簡(jiǎn)易溫控報(bào)警電路,圖中ICEO是三極管T基極開路時(shí),由集電區(qū)穿過基區(qū)流向發(fā)射區(qū)的反向飽和電流,稱作穿透電流。ICEO是三極管的熱穩(wěn)定性參數(shù)之一,常溫下,硅管的ICEO比鍺管的ICEO要?。粶囟壬?,ICEO增 大,且 鍺 管 的ICEO隨 溫 度 升 高 增 大 較 快。選用晶體管時(shí)一般希望ICEO盡量小,但本電路采用穿透電流大,且對(duì)溫度變化敏感的鍺管,利用其ICEO控制555定時(shí)器復(fù)位端4管腳的電壓。圖中555定時(shí)器與R1、R2和C組成多諧振蕩器,其復(fù)位端4腳RD通過R3接地。常溫下,鍺管穿透電流ICEO較小,一般在10~50μΑ,在3上產(chǎn)生的電壓較低,則555復(fù)位端4腳RD的電壓較低,則555處于復(fù)位狀態(tài),多諧振蕩器停振。當(dāng)溫度升高或有火警時(shí),ICEO增大,在R3上產(chǎn)生的電壓升高,使555復(fù)位端4腳RD為高電平,多諧振蕩器開始振蕩,揚(yáng)聲器發(fā)出報(bào)警聲。

  

  溫控報(bào)警電路不同的晶體管,其ICEO值相差較大,故需改變R3的阻值來調(diào)節(jié)控溫點(diǎn)。方法是先把測(cè)溫元件T置于要求報(bào)警的溫度下,調(diào)節(jié)R3使電路剛 發(fā)出報(bào)警聲。報(bào)警的音調(diào)取決于多諧振蕩器的振蕩頻率,由元件R1、R2和C決定,改變這些元件值,可改變音調(diào),但要求R1大于1kΩ。

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