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標簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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單粒子翻轉(zhuǎn)(Single-Event Upsets,SEU)指的是元器件受輻照影響引起電位狀態(tài)的跳變,“0”變成“1”,或者“1”變成“0”,但一般不會...
從DDR4到DDR5花了將近10年,DDR5將有什么重大突破?
2018年10月,Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進度,兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)目標。
新思科技宣布其DesignWare ARC EM22FS功能安全處理器已獲得認證
為滿足嚴格的安全要求,ARC功能安全處理器具備集成的安全關(guān)鍵硬件功能,包括存儲器和接口的糾錯碼 (ECC)、內(nèi)部寄存器和診斷錯誤注入的瞬時故障保護、以及...
關(guān)于提升SRAM性能的傳統(tǒng)方法的詳細介紹
隨著諸如醫(yī)療電子和無線傳感節(jié)點等應用的興起,低功耗芯片受到了越來越廣泛的關(guān)注。這類芯片對性能和功耗要求苛刻。靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)作為芯片的重要組成...
半導體存儲器是現(xiàn)代以數(shù)據(jù)為中心社會的關(guān)鍵戰(zhàn)略市場,并受到重要的大趨勢的推動,這些大趨勢包括移動性,云計算,人工智能(AI)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)。NAND(...
關(guān)于MRAM與現(xiàn)行各類存儲器之間的比較
MRAM在讀寫方面可以實現(xiàn)高速化,這一點與靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性,即MRAM本身可...
中國預計到2030年成為世界最大的半導體生產(chǎn)基地
在首屆慕尼黑華南電子展上,探索科技(TechSugar)作為本屆展會的官方采訪媒體之一,通過走訪發(fā)現(xiàn)各廠商對國內(nèi)電子行業(yè)信心滿滿,他們認為挑戰(zhàn)往往與機遇...
目前的鐵路和電力及航空航天等多個行業(yè)已紛紛推行系統(tǒng)可靠性分析RAM技術(shù),研發(fā)最佳的設備運行維護方案,從而消除設備隱患,避免設備事故發(fā)生,降低裝置非計劃停...
MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來的十年中,兩種新興的非易失性存儲器類型(相變存儲器和磁RAM)將在獨立存儲器中處于領先地位。
MRAM是磁阻式隨機存取存儲器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的縮寫。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲器(...
淺析存儲器芯片測試技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及國產(chǎn)化機遇
本次會議以“開創(chuàng)芯啟程,領跑芯未來”為主題。在“新一代存儲器技術(shù)及應用發(fā)展”研討專題論壇上,武漢精鴻電子技術(shù)有限公司副總經(jīng)理鄧標華發(fā)表了以《存儲器芯片測...
關(guān)于傳統(tǒng)存儲器和新興存儲器應用的簡單分析
舊版存儲不再是使用壽命短的低端設備,因為主要供應商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設備和融合了AI的邊緣計算以及呈指數(shù)增長的物聯(lián)網(wǎng)...
NOR FLASH目前仍是汽車行業(yè)的首選,其原因是什么
汽車應用需要合格的存儲設備,這些設備將在承受極端溫度的嵌入式環(huán)境中持續(xù)較長時間。這就是norflash繼續(xù)尋找新機會的原因之一。 例如需求由電信的可靠性...
光存儲里藍光存儲國產(chǎn)化率不足10%,半導體存儲替代空間最大
所有存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu),最終都需要將用戶數(shù)據(jù)存放到某一類最底層物理介質(zhì)中。目前,底層物理存儲介質(zhì)有光、磁、電三種,對應的用于企業(yè)級存儲市場主要產(chǎn)品類型有藍光存...
初創(chuàng)公司的新X-NAND技術(shù)在芯片級別提高了并行度
在2020年閃存峰會上,一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了 最佳展示獎 。該公司表示它可以描述被稱為X-N...
日前,存儲器廠商美光宣布,其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅...
MVentures和imec.xpand以及韓國存儲器制造商SK Hynix,Robert Bosch Venture Capital和TEL Vent...
NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,...
新興的記憶已經(jīng)存在了數(shù)十年。盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功,但它們也落后于離散存儲器的高性價比替代方案。盡管具有更高的性能,耐...
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