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標(biāo)簽 > 封裝
封裝，Package，是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程，簡單地說，就是把Foundry生產(chǎn)出來的集成電路裸片（Die）放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來，然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動詞，“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動作；
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晶體二極管簡稱二極管，是在本征半導(dǎo)體基片上利用摻雜生成一個(gè)P區(qū)和一個(gè)N區(qū)，并在P區(qū)和N區(qū)安上電極引線，再用外殼(管殼)封裝加固后構(gòu)成的。
BD4xxMx系列：豐富的封裝變化是LDO穩(wěn)壓器作為一個(gè)系列的通用性關(guān)鍵
D4xxMx系列和BDxxC0A系列是面向車載新開發(fā)的LDO穩(wěn)壓器系列。除了通用性高之外，全部43種機(jī)型通過輸出電壓和封裝等豐富的變化，適應(yīng)各種車載應(yīng)用...
電子元器件有著不同的封裝類型，不同類的元器件外形雖然差不多，但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同，譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場效應(yīng)管甚至是雙二極管。
集成電路封測是集成電路產(chǎn)品制造的后道工序，包含封裝與測試兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。集成電路封裝是指將集成電路與引腳相連接以達(dá)到連接電信號的目的，并使用塑料、金屬、陶...
芯片堆疊技術(shù)在系統(tǒng)級封裝SiP中的應(yīng)用存？
為什么芯片可以進(jìn)行堆疊呢？這里面我們講的主要是未經(jīng)過封裝的裸芯片。曾經(jīng)有用戶問我，封裝好的芯片可不可以進(jìn)行堆疊呢？一般來說是不可以的，因?yàn)榉庋b好的芯片引...
LTM4657 是采用相同引腳配置的高效率微型封裝降壓器 μModule? 器件系列中的一款產(chǎn)品。與LTM4626 和 LTM4638 相比，它的開關(guān)頻...
物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無源器件均安裝在基板平面，芯片和無源器件和 XY 平面直接接觸，基板上的布線和過孔均位于 XY 平面下方；電氣連接：均需要通過基板（...
封裝熱分析計(jì)算器 （PTA） 是為 HP 50g 計(jì)算器編寫的程序，有助于分析 IC 封裝熱。使用數(shù)據(jù)表參數(shù)，從芯片（結(jié)點(diǎn)）、外殼到環(huán)境跟蹤熱量和耗散。...
為何我們的封裝邏輯器件始終符合您的生產(chǎn)戰(zhàn)略
作為專門提供分立器件的全球供應(yīng)商，安世半導(dǎo)體一直致力于推動當(dāng)今各類邏輯封裝器件的發(fā)展。我們的創(chuàng)新過程由設(shè)計(jì)師領(lǐng)導(dǎo)，專注于打造節(jié)能而緊湊的系統(tǒng)。隨著器件一...
帶有可濕性側(cè)面的無引腳DFN封裝助力于實(shí)現(xiàn)PCB焊點(diǎn)的AOI
對于所有設(shè)計(jì)人員而言，如何在更為緊湊的空間內(nèi)增添更多功能一直以來都是一個(gè)非常大的的挑戰(zhàn)。而這一挑戰(zhàn)也促使大多數(shù)行業(yè)越來越多地采用小型化的無引腳封裝，此類...
DFN封裝在發(fā)動機(jī)倉環(huán)境下有很好的散熱性能
每個(gè)電子應(yīng)用電路系統(tǒng)都面臨著其獨(dú)特的挑戰(zhàn)。大至汽車和工業(yè)應(yīng)用，小至可穿戴設(shè)備，如何解決熱特性問題都變得越來越重要。隨著我們在越來越小的空間中集成越來越多...
2023-02-10 標(biāo)簽：發(fā)動機(jī)封裝DFN 2.5k 0
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估-PMDE封裝的實(shí)機(jī)評估
關(guān)鍵要點(diǎn)：在此次比較評估中，盡管 PMDE封裝的尺寸更小，但其封裝溫度Tc和效率卻達(dá)到了與PMDU同等的水平。如果效率同等，則可以推斷Tj也同等，這表明...
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估-PMDE封裝的散熱性能 （仿真）
關(guān)鍵要點(diǎn)：在PCB實(shí)際安裝狀態(tài)下，隨著銅箔面積的增加，熱量變得更容易擴(kuò)散，因而能夠提高散熱性能。如果銅箔面積過小，PMDE的Rth(j-a)會比PMDU...
Si二極管用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估-PMDE封裝的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)
PMDE與PMDU封裝：外形比較 下面是PMDE和PMDU的外形比較圖。新封裝PMDE與傳統(tǒng)的PMDU封裝相比，安裝面積削減了約40%，盡管如此，通過將...
實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)
轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
功率MOSFET封裝向來尺寸較大，因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能，提高了器件整體安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2P...
2023-02-10 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 1.6k 0
為了適應(yīng)業(yè)界對節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要，Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID，將功率密...
把客觀事物封裝成抽象的類，并且類可以把自己的數(shù)據(jù)和方法只讓可信的類或者對象操作，對不可信的進(jìn)行信息隱藏。封裝是面向?qū)ο蟮奶卣髦?，是對象和類概念的主要?..
2023-02-09 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)封裝代碼 685 0
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
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